区熔用多晶硅材料编制说明.docx

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1、行业标准区熔用多晶硅材料编制说明（讨论稿）一、工作简况1、立项目的和意义区熔用多晶硅材料（以下简称“区熔硅”）属于超高纯硅材料，在重点新材料首批次应用示范指导目录（2023年版）“三、先进半导体材料和新型显示材料”中明确提及区熔硅，区熔硅是区熔硅单晶和8英寸及12英寸集成电路硅片的原材料，是国家战略新兴产业中的新能源和新一代信息产业的基础原材料，属于国家重点支持的高新技术领域中新材料技术领域的半导体新材料。符合国家发布的国家集成电路产业发展推进纲要、新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策、中国制造2025等政策的精神。近年来，我国电子信息产业快速发展，特别是高科技领域对区熔硅的需求

2、量有所增加,目前陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司产能约200吨，洛阳中硅高科技有限公司产能约1000吨，青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司电产能约500吨，但是我国区熔硅主要依赖进口，去年从国外进口约400吨，并且逐年以30%的需求量在增长，而从美国进口量约过70%,归咎原因是国产化速度慢，目前陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司正在批量供应国内客户。随着中美大国博弈，美国对中国贸易战逐步升级，中美贸易摩擦不断，我国尖端电子科技产业发展将受到极大制约，半导体整个产业链的自主可控是唯一出路。区熔硅如有断供风险，必将严重影响我国集成电路、高压输电、高铁、新能源汽车以及国防安全等。在当前国

3、际环境下，本标准的起草具有重要的战略意义，标志着我国区熔硅取得重大突破，可以促进国内区熔硅的推广使用和半导体产业的蓬勃发展，推进先进半导体材料的国产替代，突破“卡脖子”关键技术发展，实现制造业由大变强的历史跨越。2、任务来源2.1计划来源及要求根据2023年5月15日工业和信息化部办公厅关于印发2023年第一批行业标准制修订和外文版项目计划的通知（工信厅科12023）18号）的要求，行业标准区熔用多晶硅材料项目由陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司牵头起草，计划编号为2023-0083T-YS,项目周期为24个月。3、主要参加单位和工作成员及其所做的工作3.1主要参加单位情况牵头单位陕西有色天宏

4、瑞科硅材料有限责任公司，是一家集超纯硅材料制造、销售、服务和研发于一体的中外合资高新技术企业。公司由陕西有色金属控股集团有限责任公司的全资子公司陕西有色天宏新能源有限责任公司和全球领先的硅材料制造公司美国RECSi1iCon共同出资组建，于2014年7月正式成立，注册资本4.98亿美元，陕西有色天宏新能源有限公司和美国RECSi1icon分别持有公司84.94%和15.06%的股份。公司位于陕西省榆林市榆佳工业园区，充分利用榆林当地优势资源，以贯彻落实中央关于科学发展和省委省政府加快陕北能源化工基地建设精神为指导，以“煤-电-硅”产业链为依托，引进美国RECSiIiCon全球领先的电子级多晶硅

5、、电子级硅烷气和粒状多晶硅生产技术，建设年产500吨高纯硅烷气、1000吨电子级多晶硅、18000吨粒状多晶硅的硅材料生产线。公司秉承绿色低碳，合作共赢、回馈社会的生产经营理念，生产粒状硅所采用的硅烷流化床(FBR)技术，在大幅降低多晶硅生产成本，为下游企业提供优质、低价原材料的同时,还可实现下游企业单晶连续拉制并有效增加铸锭单炉产量，提高生产率，增强市场竞争优势，实现互惠共赢，公司生产的电子级多晶硅、电子级硅烷气和粒状多晶硅质量达到国际领先水平，品质完全满足主流市场单多晶硅料需求，并已通过下游客户的实际验证。面对激烈的市场竞争环境和经济发展新常态，公司将依托中外合资新平台，打造科学管理新模式

6、，做到高起点、高标准、高质量、高效益，突出创新驱动，优化生产经营，实现企业健康可持续发展，建立、提升和巩固公司在中国硅材料行业的领先地位，打造具有国际竞争力的大型硅材料公司。陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司作为牵头单位开展大量的现场调研、资料查阅、取样、各项试验和数据的收集工作，为标准编写提供了真实有效的实测数据，并组织标准编写，最终带领编制组完成标准编制工作。XXX限公司，XXX股份有限公司，XXX积极参加标准调研工作和意见反馈工作，针对标准的讨论稿的技术指标提出反馈意见。4、主要工作过程4.1起草阶段2023年5月15日，工业和信息化部办公厅下达了制订区熔用多晶硅材料行业标准的任务。在下

7、达计划之日起，标准编制组内部召开了关于标准起草的工作会议，布置了标准起草的相关工作。根据本标准的起草原则，编制组对我国目前生产和使用区熔硅的相关企业进行调研和统计，参考国内外相关标准，同时结合相关企业的一些技术指标和检验数据起草了本标准讨论稿初稿。二、标准编制原则本标准起草单位自接受起草任务后，成立了标准编制组负责收集生产统计、检验数据、市场需求及客户要求等信息，确定了区熔用多晶硅材料标准起草所遵循的基本原则和编制依据：(1)确定区熔硅产品牌号、类别、等级划分及技术要求、尺寸、结构、外观质量的产品要求。(2)结合相关企业的生产和使用需求，明确区熔硅产品试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存

8、、随行文件和订货单(或合同)内容。更好的指导区熔硅的生产、销售和使用。(3)为促进区熔硅的发展，结合我国实际生产水平，同时根据产品用户的意见反馈，正确兼顾好彼此之间的关系，追求技术的先进性、指标的合理性和严谨性的统一，规范产品的质量标准，便于生产和用户的应用。(4)标准制订的程序和格式严格按GB/T1.1、GB/T1.2、GB/T20001.4和有色金属冶炼产品、加工产品、化学分析方法国家标准、行业标准编写示例的要求进行。三、标准主要内容的确定依据本标准结合我国区熔硅的实际生产和使用情况，考虑区熔硅的发展和行业现状制定而成。主要内容的确定依据详述如下：1、范围为有利于激活区熔硅厂家对标生产，促

9、进产品在下游企业进行推广使用，加速先进半导体材料的国产替代。本标准结合相关企业的生产和使用需求对区熔硅产品要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、随行文件和订货单(或合同)内容做出了规定。为明确本标准的适用范围，规定了本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的区熔硅。2、规范性引用文件区熔硅与电子级多晶硅对于多晶硅材料的质量要求有所区别，但是对于部分技术指标对应的检测方法都可引用单晶硅和多晶硅相关检测标准的条款和内容。本标准中的术语与定义都符合GB/T14264半导体材料术语。本标准引用相关文件如下：GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551硅单晶电阻率的测定直排

10、四探针法和直流两探针法GB/T1553硅和倍体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T4059硅多晶气氛区熔基磷检验方法GB/T4060硅多晶真空区熔基硼检验方法GB/T4061硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T13389掺硼掺磷碑硅单晶电阻率与掺杂剂含量换算规程GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材料牌号表示方法GB/T17737.301同轴通信电缆第1-301部分：机械试验方法椭圆度试验GB/T24574硅单晶中I1I-V族杂质的光致发光测试方法GB/T24581硅

11、单晶中III、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法GB/T29057用区熔拉晶法和光谱分析法评价区熔硅棒的规程GB/T35306硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法GB/T37049电子级区熔硅中基体金属杂质含量的测定XXXX区熔多晶硅生长缺陷的测定数码显微镜法3、术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4、要求4.1 产品牌号及类别区熔硅的产品牌号根据GB/T14844半导体材料牌号表示方法中的要求分为五部分,第一部分PSi是为了表明产品为多晶硅；第二部分表明区熔硅的生产方法，T表示为三氯氢硅法生产，S表示为硅烷法生产；第三部分表明区熔硅的形态，A1表示区

12、熔硅为原生未精磨的原生棒，M1表示区熔硅为原生棒精磨后的精磨棒；第四部分根据区熔硅技术指标要求分为3级，1表示区熔硅满足1级的全部技术指标要求，2表示区熔硅满足2级的全部技术指标要求，3表示区熔硅满足3级的全部技术指标要求；第五部分用FZ表示用途为用于区熔。例：产品牌号为“PSi-S-MI-1-FZ”的区熔硅表示为“使用硅烷法生产用于区熔的区熔1级精磨多晶硅棒”。明确了区熔硅的两种分类方式，一种是根据导电类型可以分为N型和P型，另一种是根据区熔硅技术指标要求可分为3级，分别为“区熔1级”、“区熔2级”、“区熔3级”。4.2 等级随着区熔硅生产企业大量资金、技术、设备以及人才的投入，目前国内区熔

13、硅质量有了稳步提升。根据区熔硅生产企业实际产品质量、厂家需求及参照多晶硅相关标准，对区熔硅的等级及技术指标做出了如下规定:表2区熔硅材料等级及技术要求项目技术指标要求1级2级3级受主杂质含量ppba0.030.030.03施主杂质含量ppba0.100.100.10总碳含量atomscm35,OX1O155,OX1O155,OX1O15总氧含量atomscm35.OX1O155.OX1O15CrNiCuZnNa)1.01.01.0直径mm150,190)120,150)90,120)明确规定了区熔硅3个等级用于区熔法生长不同尺寸的硅单晶产品质量影响较大的施受主杂质含量、总碳含量、总氧含量、硅芯

14、样芯碳氧含量、电阻率、少数载流子寿命、基体金属杂质含量(Fe.Cr.Ni、Cu.Zn.Na)、直径，其中除区熔硅直径参数外其余参数要求均保持一致，确保区熔生长的硅单晶产品质量稳定可靠。4.3 尺寸及允许偏差区熔硅在使用时，因各使用方区熔设备情况和拉制硅单晶成品的尺寸需求各有不同，因此结合目前我国区熔硅的实际生产和使用情况对区熔硅的长度和偏差也提出了相应的要求，区熔硅的长度应在IOOOmm至210Omm之间，精磨硅棒的直径偏差应W2mm,源生区熔硅的直径及长度也可由供需双方根据各自实际生产和使用情况协商确定。4.4 结构若区熔硅存在氧化夹层和温度夹层，夹层沉积硅体内部难以去除，用区熔硅拉制单晶硅

15、时可能会产生“硅跳”，因此确保区熔硅应无氧化夹层和温度夹层。4.5 外观质量原生区熔硅可用精磨等方法除去表面污渍与污染，因此对区熔硅的原生表面允许出现机加过程中产生的污渍，但是精磨后应表面洁净无碎渣。对于区熔硅的端面必须垂直于硅棒轴线切割，应在底端刻有批次号和硅棒编号便于追溯。区熔硅的弯曲度和椭圆度会影响拉制过程中熔区的稳定，对于区熔硅的弯曲度和椭圆度做出了规定，原生硅棒属性允许向外弯曲W7mm,椭圆度W5mm。精磨硅棒属性较原生棒更为严格，允许向外弯曲W2mm,椭圆度W2mm。5、检验方法为满足本文件中“4、要求”中规定的技术指标、尺寸、结构、外观质量项目的测试，对测试项目进行了多方试验与探讨，最终确定了如下国家检测标准可适用于区熔硅的测试,也可由供需双方协商确定更为合适的