正压悬浮区熔单晶硅炉_SJT 11853-2022.docx

上传人:lao****ou 文档编号:1153495 上传时间:2024-12-10 格式:DOCX 页数:15 大小:323.25KB
下载 相关 举报
正压悬浮区熔单晶硅炉_SJT 11853-2022.docx_第1页
第1页 / 共15页
正压悬浮区熔单晶硅炉_SJT 11853-2022.docx_第2页
第2页 / 共15页
正压悬浮区熔单晶硅炉_SJT 11853-2022.docx_第3页
第3页 / 共15页
正压悬浮区熔单晶硅炉_SJT 11853-2022.docx_第4页
第4页 / 共15页
正压悬浮区熔单晶硅炉_SJT 11853-2022.docx_第5页
第5页 / 共15页
亲,该文档总共15页,到这儿已超出免费预览范围,如果喜欢就下载吧!
资源描述

《正压悬浮区熔单晶硅炉_SJT 11853-2022.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《正压悬浮区熔单晶硅炉_SJT 11853-2022.docx(15页珍藏版)》请在第一文库网上搜索。

1、ICS31.220CCS197中华人民共和国电子行业标准SJ/T118532023正压悬浮区熔单晶硅炉Sing1e-crysta1si1icongrowingfurnacebypositivepressuref1oatzoneme1ting2023-01-01实施2023To-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布前言I1范围12规范性引用文件13术语和定义14产品型号及构成25工作条件36要求37试验方法58检验规则89标志、包装、运输和储存9M1B4.A刖本文件按照GB/T1.1-2023标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利,本

2、文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中华人民共和国工业和信息化部电子信息司提出。本文件由全国半导体材料与设备标准化技术委员会(SACC203)归口.正压悬浮区熔单晶硅炉1范围体级单晶硅生长的单晶硅炉。2规范性引用文件其使用导求3术语和定义本文件规定了正压悬浮区熔单晶硅炉(以下简称“区熔炉”)的产品标记和主要参数、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、GB/T2900.23-200注日期的引用文件,修改单)适用于本GB5GB/TGB/T安全200816防9120适用于本文件。的规范性引用而构成本文件必不可4引用文件,其最17防潮磁处理装19电0141标本文件适用于以高纯多晶硅下

3、列文件中仅该日期对应文件。GB2891-GB28GBZTGBfTGB(38792GB/T1:GB50073.1机电产晶包装通用技术条件净厂房设计规范区熔法f1oatzoneme1tingme区熔法又称悬浮区熔法,利用高频感应线圈将棒状多晶硅局部加热熔化,熔化区域处于悬浮状态,从下方引入籽晶,将熔硅拉制成单晶硅棒。3.2悬浮区熔单晶畦炉f1oatzonecrysta1growingfurnace利用区熔法进行单晶硅生长的装置。3.3高频感应线圈radio-frequencyinductioncoi1用于产生磁场进而在多晶硅料内产生感应电流的加热感应器。3.4补偿电路compensatedcirc

4、uit由感应线圈及其相应的补偿电容器组构成的电路。工作温度workingtemperature区熔炉设计时使多晶料成熔融状态及单晶生长允许使用的温度范围。最大装料量maximumcharge区熔炉设计时允许装载的多晶棒料的最大重量。反射环ref1ectionring主要由铜构成,在生长大直径单晶硅时用来改善热场分布,降低单晶硅外表面轴向温度梯度,使晶体径向温度趋于一致,提高硅单晶径向电阻率均匀性,并能有效解决单晶硅生长过程中易出现裂纹问题的一种装置。上轴uppershaft用于实现多晶硅料的升降旋转运动。上轴内部包括一套轴承、托盘、四根光轴和齿形皮带,轴承和托盘相联。托盘通过两根精密导引丝杠移

5、动,由四根光轴对托盘导向,并通过齿形皮带使动最终实现上轴的升降旋转,带动多晶硅料的升降旋转。下轴1owershaft用于实现单晶硅料的升降和旋转运动。下轴内部包括一套轴承、托盘、四根光轴和齿形皮带,轴承和托盘相联。托盘通过两根精密导引丝杠移动,由四根光轴对托盘导向,并通过齿形皮带传动最终实现下轴的升降旋转,带动单晶硅料的升降旋转。内轴Innershaft置于下轴中,在一定范围内可独立地沿轴在下轴内移动.内轴与下轴在旋转时互相锁定。内轴用于实现籽晶的旋转和升降,在单晶生长的起始阶段,即锥体形成阶段。当晶体生长进入等径阶段后,内轴与下轴在各运动方向上也均互相锁定,二者在运动中完全同步。4产品型号及

6、构成4.1 型号标记区熔炉的型号标记规则如下:4.24.3 主要构成区熔炉主要由主机以及抽气系统、充气系统、水冷系统、加热系统、控制系统等组成。主机包括炉体、多晶料升降旋转系统、籽晶升降旋转系统。5工作条件5.15.25555534567相对湿度:温度范围:外界蔑源:65%,区熔炉无结露情况发生。2030.当大于10Hz时振幅值应小于0.03mm.应用环境无腐蚀性气体。地基基础土质的承载能力应不小于10Tm2o电源要求:厂务进线采用3AC380V,三相五线制,额定频率50Hz,接地电阻不大于10冷却水要求冷却水的水温、压力、水质要求如下:5.8OMs/cm(25);50mg/1;浓度7以氮气t

7、要求设备外表面无明显的油漆脱都显色差。情炉体内部采用抛光处理,无明显砂眼、凹坑等缺陷。设备水冷系统和抽气、充气系统焊缝平滑,连接管道和接口无泄漏现象。设备走线布管规范,无明显弯折、捆绑杂乱现象。包装标志要求:冷却水温度范围:20冷却水进水压力:冷却水出水压M水质要求:a)b)C)d)配a)b)C)d)1)电2)3)4)53聆CaCOif99.999%力、管气压5.9洁净室应将合1外观要求3-2013中的规定,洁净度等级优于4级,不含腐蚀性筑体和易燃性气体。666661.11.21.31.41.5每套区熔炉都应有铭牌,铭牌应固定在设备明显易见的位置上。铭牌上标出的内容应按GB5959.12005

8、中15.1的要求,在产品标准中具体规定。对出口产品,应采用用户所要求的文种,对制造厂名称应加上国名。制造厂自制的配套件都应有各自的铭牌。区熔炉的指示、控制、操作等部分应有必要的名称、位置或状态(方向)、接地等标志。各种标牌,包括铭牌应符合GBZrI33062011的规定。铭牌上应标出下列各项:a)产品的型号和名称;b)出厂编号;c)出厂日期;d)制造厂名称(对出口产品应标明国名)。6.2基本性能要求基本性能要求见表1。表1区熔炉基本性能要求内容单位参数要求上轴、下轴转速rpm0-30,0.1上轴、下轴慢速mmin0-30,0.01上轴、下轴快速mm/min2500内轴慢速mm/min0-30,

9、0.01内轴快速mm/min150上轴行程mm22500下轴行程mm2000上轴、下轴圆跳动mm0.3上轴XY移动距离mm土20,且连续可调,精度达到0.3线网移劭距离mm士25,精度达到0.1反射环移动距高mm050(相对于线圈)炉膛压力绝对压力barX,且连续可调真空度mbar0.01正、负压漏气速率mbar0.05保护气体流量可控范围bar0-6保护气体快速充气流量1min23006.3工艺性能要求.6.3.1极限真空度区熔炉真空系统的真空度应能达到1oPa以内.6.3.2抽真空时间区熔炉抽真空时间必须达到规定要求从常压状态下抽真空至1oPa所需的时间应不超过270s。6.3.3充压时间

10、从1OPa真空状态充保护气体至工作压力所需的时间应不超过30min.6.3.4工作压力炉体的工作压力应不超过6.0IO5Pa,具体工作压力根据用户的生长工艺参数确定。6.3.5运动参数偏差区熔炉在其速度控制系统的调速范围内,各项运动参数的实际测量值与设定值的相对偏差应不大于3%;各项运动参数的速度偏差应不大于1%。6.3.6上轴、下轴垂直度上轴、下轴的垂直度均在0.3mm以下。6.3.7静态同轴度内轴与直驱电缸同心度误差不超过0.1mm.6.4安全要求6.4.1安全标识区熔炉应具有下述醒目警告标志,标志的颜色应符合GB28932008的规定,标志的图形和尺寸应符合GB2894-2008的规定:

11、a)电气危险,即当心触电标志;b)高温危险,即当心高温烫伤标志;c)爆炸危险,即防爆当心爆炸标志;d)夹伤危险,即当炉体关闭时,当心夹伤身体的标志;e)窒息危险,即当炉体充满惰性气体时,当心人员进入后导致窒息标志。6.4.2安全防护炉体的表面温度应不超过45.区熔炉所有具有高温辐射的法兰和视窗需要进行通水冷却。区熔炉各个运动机构,如多晶料升降旋转机构、籽晶升降旋转机构需要具备行程开关的保护装置。区熔炉应具备防爆阀,防爆口的设计不能朝向操作人员。6 .4.3安全报警水路系统应具备过压防爆系统、超温报警、流量报警功能。6.5工艺稳定性要求区熔炉应能够在用户规定的工艺条件下连续运行不少于3个生长周期

12、,期间应保持稳定运行。7 试验方法7.1 外观检查采用目视法进行外观检查。7.2 基本性能测试7.2.1上轴、下轴转速区熔炉软件界面设置“设定转速”,寻一坐标点,按秒表在固定时间内看上、下轴旋转圈数。7.2.2上轴、下轴慢速区熔炉软件界面设置“设定速度值”,点击“外轴慢速”,用百分表记录表针转动一圈所需的时间,根据时间换算升降速度。7.2.3上轴、下轴快速在区熔炉软件界面点击分别选择上、下轴“快速点动”。点击的同时按下秒表计时,计时一分钟后看界面实际值。7.2.4内轴慢速通过区熔炉软件的炉压控制界面设定压力,观察区熔炉配备的机械压力计和电子压力计的示数是否发生连续变化,并达到设定值。7.2.1

13、3真空度在合炉状态下,将炉内压力通过真空泵抽至负压状态,并完成抽空检漏,用区熔炉配套的真空计测量。7.2.14正压、负压漏气速率在区熔炉的炉腔处于正压或负压状态时,利用百分表倒计时一段时间,同时读取各气孔处配备的质量流量计示数,换算出正、负压漏气速率。7.2.15保护气体流量可控范围在炉子内真空的情况下,打开保护气系统的常规流量组,在区熔炉软件界面逐步提高保护气的流量直至极限值,记录界面示数即可控范围。7.2.16保护气体快速充气流量在空炉冷态状态下,打开保护气系统的快速充气组,读取区熔炉配套的进气质量流量计。7.3工艺性能测试7.3.1极限真空度在空炉冷态情况下,用区熔炉本身配套的真空系统进

14、行试验,用区熔炉本身配套的真空计仪表在正常工作状态下测量,或按产品标准的规定。按正常工作条件启动真空泵,直到炉内压力达到最低值。测量真空度的仪表的测量准确度应在所测真空度值得25%范围内。7.3.2抽真空时间从炉内压力为大气压时开始到炉内真空度达到产品标准中规定的工作压力为止的时间,即为抽真空时间。用区熔炉本身配套的真空计在正常工作状态下测量,按正常工作条件启动真空泵,用表秒等工具记录炉内压力达到所要求的工作压力时的时间。7.3.3充压时间按正常工作条件将炉内真空度抽至1OPa。开始充入保护气体,同时开始用秒表等工具计时,至达到工作压力时,记录充压时间。7.3.4工作压力7.3.4.1耐压试验炉体各连接部位的紧固件应装配齐全,并紧固妥当;为进行耐压试验而装配的临时受压元件,应采取适当的措施,保证其安全性。试验时,压力表安装在被试验容器安放位置的顶部。排净试验容器内的气体并充满液体,试验过程要保持观察表面的干燥。当试验容器器壁金属温度与液体温度接近时,方可缓慢升压至设计压力,确认无泄漏后继续升压至规定的试验压力,保压时间

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 应用文档 > 工作总结

copyright@ 2008-2022 001doc.com网站版权所有   

经营许可证编号:宁ICP备2022001085号

本站为文档C2C交易模式,即用户上传的文档直接被用户下载,本站只是中间服务平台,本站所有文档下载所得的收益归上传人(含作者)所有,必要时第一文库网拥有上传用户文档的转载和下载权。第一文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。若文档所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知第一文库网,我们立即给予删除!



客服