高通量大面积磁控溅射沉积系统采购项目基本情况表.docx
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1、高通量大面积磁控溅射沉积系统采购项目基本情况表一、采购内容及技术参数指标要求(一)具体技术指标要求我室拟采购高通量大面积磁控溅射沉积系统一套,由样品缓冲室、真空溅射室、真空系统、磁控靶系统、电源系统、高通量溅射系统、气路系统、加热系统、自动控制系统、安全保护系统等组成。各部分具体技术指标要求如下:1 .样品缓冲室室为真空泵机组抽气的低真空环境。设置8组样品盘,设备支持8片装的连续生产模式。2 .真空溅射室真空溅射室有四个磁控靶接口,安装四只磁控靶。其中三只直流溅射靶、一只射频溅射靶。溅射室上盖分为四个区,独立自动打开,便于安装、维修、清洗、更换靶材等。至少一只靶与高通量组件可以互换使用,拆下该
2、靶,更换上高通量法兰组件即可进行高通量研究。3 .真空系统真空系统采用大口径复合分子泵、旋片式真空泵将真空室抽至高真空状态。溅射室极限真空度W6.7X10-5pa溅射室工作状态通过薄膜规进行测量,并参与恒压控采用电动插板阀作为压力调节阀,通过高精度薄膜规测量,闭环压力调节控制软件控制,使工气压达到恒定状态,保证工艺稳定性及重复性。4 .磁控靶系统典型样品尺寸380mmX300mmo靶座带有防相邻靶污染的挡板,靶与样品间带有防污筒,以达到防绕射、防相邻靶污染的效果。磁控靶带有内置均匀布气系统。有效镀膜区(380mm300mm)不均匀性W5%。可用于非磁性常规材料和磁性常规材溅射。5 .电源系统设
3、备配置直流电源,可用于金属直流溅射,也可用于直流反应溅射。支持双靶溅射,提高厚膜的溅射速率。配置射频电源,可用于射频溅射介质、非金属、金属化合物、半导体等薄膜。电源功率调节与输出可参与自动化控制。6 .高通量溅射系统系统配两只共聚焦磁控靶,通过对单孔掩膜板的两维精密运动,一次获得不少于25个实验结果(8片装结构可获得不少于200个实验结果)。支持两元材料多层膜高通量研究,两元材料混合掺杂膜的高通量研究。7 .气路系统采用6台质量流量控制器控制6路气体进气(溅射工艺Ar四路;清洗Ar一路;工艺Nz或。2一路)。8 .加热系统溅射室旁有定点加热工位,通过链条运送过来的工件被静止加热。样品盘上方安排



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