光刻工艺基础知识.docx

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1、光刻工艺基础知识PHOTO光刻工艺基础知识PHOTo（注：引用资料）光刻工艺基础知识PHOTOPHOTO流程？答：上光阻一曝光一显影一显影后检查一CD量测一OVer1ay量测何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？搭：PhotOreSiSt（光阻）,是一种感光的物质，其作用是将Pattem从光罩（RetiC1e）上传递到Wafe上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。何为正光阻？答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。何为负光阻？答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特

2、性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。何谓Photo?答：Photo=PhotoIithgaphy,光亥J,将图形从光罩上成象到光阻上的过程。Photo主要流程为何？答：PhOtD的流程分为前处理，上光阻，SoftBake,曝光，PEB,显影，HardBake等。何谓PHOTO区之前处理？答：在Wafe上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake,HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS（六甲基乙硅氮烷，以增加光阻与晶体表

3、面附着的能力）工作，以使Wafe表面更容易与光阻结合。何谓上光阻？答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozz1e）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。何谓SoftBake?答：上完光阻之后，要进行SoftBake,其主要目的是通过SOftBdke将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。何谓曝光？答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。何谓PEB（PostExposureBake）?答：PEB是在曝光结束后对光阻进行

4、控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。何谓显影？答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。何谓HardBake?答：HaFBake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafe上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺？答：BARC=BottomAntiRef1ectiveCoating,TARC=TopAntiRef1ectiveCoating.BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上

5、表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。何谓Mine?答:曝光过程中用到的光，由MercUi1amp（汞灯）产生，其波长为365nm,其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。何谓DUV?答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm,其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。Mine与DUV主要不同处为何？答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-1ine主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critica1Iaye

6、roDUV则用在先进制程的Critica11ayer上。何为ExposureFie1d?答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域何谓Stepper?其功能为何？答：一种曝光机，其曝光动作为Stepbystep形式,一次曝整个exposurefie1d,一个一个曝过去何谓Scanner?其功能为何？答：一种曝光机，其曝光动作为Scanningandstep形式，在一个exposurefie1d曝光时，先Scan完整个fie1d,Scan完后再移到下一个fie1d.何为象差？答：代表透镜成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper优点为何？答：ExposureFie1d大，余套较小曝光最重要的

7、两个参数是什幺？答：Enegy(曝光量)，FOCUS(焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。何为Retic1e?答：Retide也称为Mask,翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。何为Pe11ic1e?答：Pe11ic1e是Retic1e上为了防止灰尘(dust)或者微尘粒子(Partide)落在光罩的图形面上的一层保护膜。何为OPC光罩？答：OPC(Optica1Proximity

8、COrTeCtiOn)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Po1y,Meta11ayer就是OPC光罩。何为PSM光罩？答：PSM(PhaseShiftMdSk)不同于Crmaskz利用相位干涉原理成象，目前大都应用在COntaCt1aye以及较小CD的Critica11ayer(1AA,PO1Y,META11)以增加图形的分辨率。何为CRMask?答：传统的铭膜光罩,只是利用光讯0与1干涉成像,主要应用在较不Critica1的1ayer光罩编号各位代码都代表什幺？答：例如003700-156AA-1DA,0037代表产品号，00代表Specia1code,1

9、56代表1ayer,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1,D代表DUV(如果是J,则代表I-1ine）zA代表ASM1机台（如果是C,则代表Canon机台）光罩室同时不能超过多少人在其中？答：2人，为了避免产生更多的PartiCIe和静电而损坏光罩。存取光罩的基本原则是什幺？答：（1）光罩盒打开的情况下，不准进出MaSkROom,最多只准保持2个人（2）戴上手套（3）轻拿轻放如何避免静电破坏Mask?答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。光罩PoD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动F

10、oUP时碰撞光罩Pod而损坏光罩。何谓Track?答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，COating（上光阻），和DeVe1OP（显影）等过程。In-1ineTrack机台有几个Coater,几个DeVeIoPe槽？答：均为4个机台上亮红灯的处理流程？答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时CaIIE.E进行处理。若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。何谓WEE?其功能为何？答：WaferEdgeExposure。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻pee

11、1ing而影响其它部分的图形，因此将WaferEdge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。何为PEB?其功能为何？答：PostExposureBake,其功能在于可以得到质量较好的图形。（消除standingwaves）PHOTOPO1YIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻答：目前正负光阻都有，SMICFAB内用的为负光阻。RUN货结束后如何判断是否有wafer被eject?答：查看RUN之前1ot里有多少Wafer,再看Run之后Iot里的WAFER是否有少掉，如果有少,则进一步查看机台是否有RejeCt记录。何谓Over1ay?其功能为何？答：迭对测量仪。由于集成电

12、路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成设计的工作。因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整processcondition.何谓ADICD?答：Critica1Dimension,光罩图案中最小的线宽。曝光过后，它的图形也被复制在Wafer,通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。何谓CD-SEM?其功能为何？答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通

13、常可以用于测量CD以及观察图案。PRS的制程目的为何？答：PRS(ProcessRe1easeStandad)通过选择不同的条件(能量和焦距)对Wafer曝光，以选择最佳的processconditiono何为ADI?ADI需检查的项目有哪些？答：AfterDeve1opInspection,曝光和显影完成之后，通过AD1机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：1ayerIDz1ockingCornerzVernierzPhotoMacroDefect何为OOC,00S,OCAP?答：OOC=outofcontro1,OOS=OutofSpec,OCAP=outofcont

14、ro1actionp1an当需要追货的时候，是否需要将ETCH没有下机台的货追回来？答：需要。因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。PHOTOADI检查的SITE是每片几个点？答：5点，Wafer中间一点，周围四点。PHOTOOVER1AY检查的SITE是每片几个点？答：20PHOTOADI检查的片数一般是哪几片？答：#1,#6,#15,#24;统计随机的考虑何谓RTMS,其主要功能是什幺？答：RTMS(Retic1eManagementSystem)光罩管理系统用于trace光罩的Histor

15、y,Statusz1ocationzandInformation以便于光罩管理PHOTO区的主机台进行PM的周期？答：一周一次PHOTO区的控片主要有几种类型答：Partic1e:作为Partic1emonitor用的芯片,使用前测前需小于10颗(2) ChuckPartic1e:作为SCanner测试ChUCk平坦度的专用芯片,其平坦度要求非常高(3) Focus:作为ScannerDai1ymonitorbest的wafer(4) CD:做为photo区dai1ymonitorCD稳定度的waferPRthickness:做为光阻厚度测量的wafer(6)PDM:做为photodefectmonitor的wafer当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？答：有少量光阻WAFERSORTERWiWAFER刻号的功能吗？答：有光刻部的主要机台是什幺？它们的作用是什幺？答：光刻部的主要机台是：TRACK(涂胶显影机)，Sanner(扫描曝光机)为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术答：Track把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机.光罩上的电路图形就是“人物，通过对准,对焦,打开快门，让一定量的