4M石英晶振.docx

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1、HC-49S49S-SMD型怎样选择一款合适的晶体振荡器2004-8-1717:00:44-说明：采用fref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用打指标的晶体振荡器,故fTref指标的晶体振荡器售价较高。-几种电子系统使用的晶体振荡器典型频率温度稳定度指标见下表:-表中有一部分频率温度稳定度指标应是带隐含基准温度的频率温度稳定度指标，但没表示出来。(1ppm=1X10-6；Ippb=I10-9)o-频率稳定预热时间：以晶体振荡器稳定输出频率为基准，从加电到输出频率小于规定频率允差所需要的时间。-说明：在多数应用中，晶体振荡器是长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机，这时频率

2、稳定预热时间指标需要被考虑到(尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要求频率温度稳定度W0.3ppm(-45C85),采用OCXo作为本振,频率稳定预热时间将不少于5分钟，而采用DTCXO只需要十几秒钟)。-频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的，可用规定时限后的最大变化率（如IOppb/天，加电72小时后），或规定的时限内最大的总频率变化（如：1ppm（第一年）和士5ppm（十年）来表示。-说明：TCXO的频率老化率为：0.2PPm2ppm（第一年）和1ppm5ppm（十年）（除特殊情况，

3、TCXO很少采用每天频率老化率的指标，因为即使在实验室的条件下，温度变化引起的频率变化也将大大超过温度补偿晶体振荡器每天的频率老化，因此这个指标失去了实际的意义）。OCXO的频率老化率为：0.5ppb10ppb/天（加电72小时后），30ppb2ppm（第一年），0.3PPm3ppm（十年）。-频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的最小峰值改变量。-说明：基准电压为+2.5V,规定终点电压为+0.5V和+4.5V,压控晶体振荡器在+0.5V频率控制电压时频率改变量为-I1oPPm,在+4.5V频率控制电压时频率改变量为+130ppm,则VCXO电压控制频率压

4、控范围表示为：100ppm（2.5V2V）o-压控频率响应范围：当调制频率变化时，峰值频偏与调制频率之间的关系。通常用规定的调制频率比规定的调制基准频率低若干dB表示。-说明：VCXo频率压控范围频率响应为010kHz。-频率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。-说明：典型的VCXO频率压控线性为：10%,20%o简单的VCXo频率压控线性计算方法为（当频率压控极性为正极性时）：-频率压控线性=(fmax-fmin)/fO)X100%-fmax：VCXo在最大压控电压时的输出频率-fmin：VCXo在最小压控电

5、压时的输出频率一-fO：压控中心电压频率-单边带相位噪声：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。石英晶体震荡原理介绍2004-8-1716:46:37石英是普遍分布于地球上的矿物，其化学成分为二氧化矽(Sio2)。本身为一种压电材料,由石英水晶所切割出来的石英晶片，于其X轴(电气轴)方向受到压力、张力、扭力时，表面会产生电荷，这种极化现象称之为“直接压电效应(DirectPiezoE1ectricEffect)”。当我们加一讯号源于晶体上时,即可产生循环之震荡。决定石英晶体震荡频率之因素有很多，依其晶棒切割方法，切割角度，晶片的面积、形状、厚度、及相关之电路设计而定。基本上来

6、说，晶片愈薄，则震荡频率愈高。一般应用上，自然的机械式振动，我们称之为“谐振”。当振荡晶体之动作是“串联谐振”时(Fs),FS点之电抗几乎等于零晶体在电路中呈电阻性，无负载电容(1oadCapacitance)。故串联谐振并无C1之规定。而当振荡晶体动作于并联谐振时(ParaI同Resonance),电路上则呈电感性。电路中之电抗使晶体之振荡频率变化。Fa点是反谐振，其动作频率比串联谐振为高。是故并联谐振时必须注明“负载电容(C1)”的PF值。人造石英晶体的特性和品质2004-8-1716:27:01人造石英晶体的特性和品质PROPERTIES&QUA1ITYOFSYNTHETICQUARTZ

7、CRYSTA11）材料特性MATERIA1PROPERTIES人造石英晶体具有很好的压电效应，广泛应用于制造各种频率选择和频率控制元器件，如谐振器、振荡器、滤波器等。Syntheticquartzcrysta1featuresverygdpiezoe1ectriceffect,which1eadsitwide1yapp1iedinmanufacturingfrequency-se1ectandfrequency-contro1componentssuchasresonators,osci11ators,fi1ters,.etc.2）材料品质MATERIA1QUA1ITY2.1旋向HANDEDN

8、ESS除非另有规定，均为右旋。Right-handedun1essotherwisespecified.2.2双晶TWINNINGS可用区内不允许存在电学或光学双晶。Noe1ectrica1oroptica1twinningsha11bea11owedinusab1ezones.2.3包裹体INC1US1ONS可用区内每Icm3允许存在的包裹体的大小和数目如下：Inusab1ezones,thesizesandnumbersofinc1usionsa11owedpercm3areasfo11ows尺寸SIZE最大数目MAX.NUMBER30-70m4pcs70-100m2pcs100m2pcs

9、2.4Q值Q-VA1UE按照1EC758.V.2.有关规定，Q值以红外线-3585值测定换算。ZQC产品的Q值一般分为如下A、B、C等级：Q-va1uesha11beconvertedfrom-3585va1uemeasuredwithinfraredraymethodaccordingtotheprovisionsofIEC758.V.2.,Q-va1ueofZQC,sproductsisgenera11ygradedasfo11owing:-3585va1ueQ-va1ueA0.024max.3.0106min.B0.050max.2.4IO6min.C0.069max.1.8106min

10、.2.5腐蚀隧道密度（有要求时）ETCHCHANNE1DENSITY(ifrequired)腐蚀隧道密度一般按以下规定分级：Detchisgenera11ygradedasfo11owing:等级Grade腐蚀隧道密度Detch(Icm2)1030100200530066002. 6品质控制QUA1ITYCONTRO1(1) Q值：以高压釜上、中、下三个不同生长区抽取水晶原石测试确定。Q-Va1ueofthecrysta1sha11betestedwiththesamp1edas-grownbarsfromdifferentgrowingzonesasupper,midd1eandbottom

11、ofeveryautoc1ave.(2) 腐蚀隧道密度：在40倍的显微镜下检查测知。Detch:Thecrysta1barssha11becheckedunder40-mu1tip1iedmicroscope.(3)包裹体：将水晶棒经过茴香油后，在强光下用肉眼逐根检查。Inc1usion:Thecrysta1barssha11beinspectedonebyonewithnakedeyesunderstrong1ightaftertheyareimmersedinfenne1oi1.3）精磨制材的标准STANDARDSFOR1UMBEREDBARS3. 1尺寸公差：DIMENSIONTO1ER

12、ANCEX方向X-Direction：0.2mmmax.Y方向Y-Direction：0.2mmmax.3.2制材表面的角度偏差:SURFACEORIENTATIONDEVIATIONZ面与X轴X面与Z轴Z-SurfacetoY-axis：15Z-SurfacetoX-axis：15X-SurfacetoZx-axis：15X面与Y轴X-SurfacetoYz-axis：153.3籽晶的平行中心位置.：HORIZONTA1SEEDCENTERING籽晶应位于精棒中心的3mm阴影区内。Theseedshou1dbewithinthemaximum3mmshadedbandinthecentero

13、f1umberedbar.3.4表面处理及平整度：SURFACEFINISHANDF1ATNESS表面处理SURFACEFINISH：GC#80max.平整度SURFACEF1ATNESS：0.05mmmaxhttp:WWW.sctf-翟氟篓敦E1ectrica1Specifications榄穗率FrequencyRange3.200MHzto70.OOOMHz整步直差FrequencyTo1erance(at25,C)30PPm(StandaId)orspecify温度步直差FrequencyStabiUtyOverOperatingTemperatureRange30PPm(Standa1d)orspecify温度宛圉OperatingTemperatureRang-ICrcto6CTC(Standard)orp1easespecify老化率Aging(at25P)5ppnyearMax艮宁存温度StorageTennperatuieRange-21.OMHz(3d)80-60