FYD160104模块使用说明.docx

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1、FYD1601液晶模块使用手册FYD160I1EDSTN.黄绿膜、1ED背光可显示16字符*1行实物图片基本特征1.显示特性 单5V电源电压，低功耗、长寿命、高可靠性 内置192种字符（160个57点阵字符和32个5IO点阵字符） 具有64个字节的自定义字符RAM,可自定义8个5x8点阵字符或四个5x11点阵字符 显示方式：STN、半透、正显 驱动方式：116DUTY,1/5BIAS 视角方向：6点 背光方式：底部1ED 通讯方式：4位或8位井口可选 标准的接口特性，适配MC51和M6800系列MPU的操作时序。2.物理特性外型尺寸80*36*14单位可视范围64.6(W)X16.0(H)mm

2、显示容量16字符一行点尺寸0.55X0.75mm点间距0.08mm3.外型尺寸图MAX14.0161o1p3256+0531101K-。336oo54.结构块图二电气参数:1极限参数项目符号最小值最大值单位注释电源电压逻辑Vdd07.0V1CD驱动Vdd-Vee06.5V输入电压Vi0VddV操作温度Top050储存温度Tstg-2070湿度90%RH说明：倘若在超过上述极限参数的条件下长期使用，极易永久性地损坏本模块，因而建议用户在下列表中的电性能参数范围内，使用本模块。2电气参数（Vcc=5v5%,Ta=+25oC）项目符号条件最小值典型值最大值单位电源电压逻辑Vdd4.55.05.5V1

3、CD驱动Vdd-VeeO5.0输入电压高电平Vih0.7VddVdd低电平Vi1-030.55输出电压高电平Voh-Ioh=ImA0.75Vdd低电平Vo1IoI=ImA0.2Vdd频率foscRf=91k2%190270350KHz邛电流IDDVDD=5.0V2.02.4mA1CD驱动电压（推荐电压）Vdd-VeeO5.05.0V三接口定义:管脚号符号功能1Vss电源地（GND）2Vdd电源电压（+5V）3VO1CD驱动电压（可调）4RS寄存器选择输入端，输入MPU选择模块内部寄存器类型信号：RS=O,当MPU进行写模块操作，指向指令寄存器；当MPU进行读模块操作，指向地址计数器；RS=I,

4、无论MPU读操作还是写操作，均指向数据寄存器5R/W读写控制输入端，输入MPU选择读/写模块操作信号：RZW=O读操作；RW=1写操作6E使能信号输入端，输入MPU读/写模块操作使能信号：读操作时，高电平有效；写操作时，下降沿有效7DBO数据输入/输出口，MPU与模块之间的数据传送通道4位方式通讯时,不使用DBO-DB,8DB1数据输入/输出口，MPU.与模块之间的数据传送通道9DB2数据输入/输出口，MPU与模块之间的数据传送通道10DB3数据输入/输出口，MPU与模块之间的数据传送通道11DB4数据输入/输出口，MPU与模块之间的数据传送通道12DB5数据输入/输出口，MPU与模块之间的数

5、据传送通道13DB6数据输入/输出口，MPU与模块之间的数据传送通道14DB7数据输入/输出口，MPU与模块之间的数据传送通道15A背光的正端+5V16K背光的负端OV四操作时序图1写操作时序项目符号条件最小值最大值单位E周期tcycEVdd=5V5%Vss=OVTa=25C1,000nsE脉宽(高电平)PWen450E上升/下降时间IErJEf25地址设置时间(RS,RVtoE)tAS140地址保持时间tAH10数据设置时间tDSW195320数据保持时间IH10一2.读操作时序项目符号条件最小值最大值单位E周期CcycEVdd=5V5%Vss=OVTa=250C1,000nsE脉宽（高电平

6、）PWen450E上升/下降时间tEr,tEf25地址设置时间（RS,RWtoE）tAS140地址保持时间tAH10数据延迟时间tDDR320数据保持时间tDHR20五模块显示特性详解：本模块适宜与4位或者8位MPU接口，接口由使能信号E控制；标志位BF为模块内部工作状态标志，MPU访问模块时，首先应判断状态标志位BF；在电源Vdd=+5V情况下，模块与MPU通讯速度可以达到2MHz； 本模块提供5X8点阵或者5X7点阵、带光标显示的字符结构的显示模式，用户通过指令设置可以方便地进行选择； 本模块提供了显示数据缓冲区DDRAM,字符发生器CGROM和字符发生器CGRAM；用户可以使用CGRAM

7、来存储自己定义的最多8个5X8点阵的图形字符的字模数据； 本模块字符在1CD显示屏上的显示位置与该字符的字符代码在显示缓冲区DDRAM内的存储地址一一对应； 本模块通过指令设置来选择占空比（duty）周期，选择参数如下： 单行5X8点阵字符带光标显示：1/8 单行5X10点阵字符带光标显示：1/11 双行5X8点阵字符带光标显示：1/16本模块提供了较为丰富的指令设置：清显示；光标回原点；显示开/关；光标开/关；显示字符闪烁；光标移位；显示移位通过选择相应的指令设置，用户可以实现多种字符显示样式； 本模块提供了内部上电自动复位电路，当外加电源电压超过+4.5v时，自动对模块进行初始化操作，将模

8、块设置为默认的显示工作状态; 本模块采用低功耗CMOS设计1软硬件注解1-1模块组件内部结构模块组件内部主要由1CD显示屏（1CDPaneD、控制器（COn1rOner）、列驱动器（Segmen1driver）和偏压产生电路构成。1CD显示屏为common和segment交叉形成的点阵，以5义8点阵的字符结构模式和设置的显示字符数目，选择适宜的行数，分单屏、双屏或者多屏显示规定的字符。对于双屏或者多屏显示结构的1CD,每一显示屏结构部分，均由各自独立的使能信号E控制。列驱动器与控制器配套使用，它接收来自控制器的振荡、帧同步输出、串行输出的数据和移位及锁存脉冲，产生列Segmem交流扫描驱动信号

9、。控制器接收来自MPU的指令和数据，控制着整个模块的工作，由CGROM.CGRAM和DDRAM等字符存储区域、以及与MPU和列驱动器的I/O接口、指令寄存和译码机构、地址计数器等部分组成。在控制器的控制下，模块通过数据总线DB0DB7和E、R/W、RS三个输入控制端与MPU接口。这三根控制线按照规定的时序相互协调作用，使控制器通过数据总线DB接收MPU发送来的指令和数据，从CGROM中找到欲显示字符的字符码，送入DDRAM,在1CD显示屏上与DDRAM存储单元对应的规定位置显示出该字符。控制器还可以根据MPU的指令，实现字符的显示、闪烁和移位等显示效果。控制器主要由指令寄存器IR、数据寄存器D

10、R、忙标志BF、地址计数器AC、DDRAM.CGROMCGRAM以及时序发生电路组成：指令寄存器（IR）和数据寄存器（DR）本模块内部具有两个8位寄存器：指令寄存器（IR）和地址寄存器（DR）。用户可以通过RS和R/W输入信号的组合选择指定的寄存器，进行相应的操作。下表中列出了组合选择方式。ERSR/W说明1O1分别将状态标志BF和地址计数器（AC）内容读到DB7和DB6-DB0IfoO将DB0-DB7的指令代码写入指令寄存器中111将数据寄存器内的数据读到DB0DB7,模块的内部操作自动将DDRAM或者CGRAM中的数据送入数据寄存器中1-0O将DB0DB7的数据写入数据寄存器中，模块的内部

11、操作自动将数据写到DDRAM或者CGRAM中指令寄存器IR，内部存储DDRAM和CGRAM中的数据显示的指令代码和地址信息，只能由MPU对其执行写操作；数据寄存器DR,内部暂时存储MPU与模块内部DDRAM和CGRAM之间的传送数据,内部操作使DR与DDRAM或者CGRAM之间的数据传送自动进行：写操作DR写操作.,数据1”读操作II数据“读操作接口控制自动执行DDRAM(CGRAM)MPU忙标志位BF忙标志BF=I时，表明模块正在进行内部操作，此时不接受任何外部指令和数据。当RS=O.RW=1以及E为高电平时，BF输出到DB7。每次操作之前最好先进行状态字检测，只有在确认BF=O之后，MPU

12、才能访问模块； 地址计数器（AC）AC地址计数器是DDRAM或者CGRAM的地址指针。随着IR中指令码的写入，指令码中携带的地址信息自动送入AC中，并行做出AC作为DDRAM的地址指针还是CGRAM的地址指针的选择。AC具有自动加1或者减1的功能。当DR与DDRAM或者CGRAM之间完成一次数据传送后,AC自动会加1或减1。在RS=0RW=1且E为高电平时,AC的内容送到DB6DB0;,3位低4位AC6AC5AC4AC3AC2IAC1IACO 显示数据寄存器（DDRAM）DDRAM存储显示字符的字符码，其容量的大小决定着模块最多可显示的字符数目。DDRAM地址与1CD显示屏上的显示位置的对应关

13、系如下：两行显示（16*1模块的前8个字符对应第一行，后8个字符对应第二行）DDRAM地址第一行OOHO1H02H03H04H05H06H07HDDRAM土也址第二行40H41H42H43H44H45H46H47H执行显示移位操作时，对应的DDRAM地址也发生移位，以每行8个字符的显示为例,移位前后的地址对应关系如下：字符列位置12345678DDRAM地址第一行OOHO1H02H03H04H05H06H07HDDRAM地址第二行40H41H42H43H44H45H46H47H左移一位12345678O1H02H03H04H05H06H07H08H41H42H43H44H45H46H47H48H右移一位1234567827HOOHO1H02H03H04H05H06H67H40H41H42H43H44H45H46H 字符发生器ROM在C