集成电路技术集成电路工艺原理试卷(练习题库)(2023版).docx

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1、集成电路技术集成电路工艺原理试卷（练习题库）1、 用来做芯片的高纯硅被称为（），英文简称（），有时也被称为（）。2、 单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。3、 晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。4、 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。5、 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、O和（）。6、 CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。7、 CZ直拉法的目的是（）。8、 影响CZ直拉法的两个主要参数是O和（）。9、 晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。10、 制备半

2、导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、O011、 热氧化工艺的基本传输到芯片的不同部分。77、 多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。78、 阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。79、 关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。80、 传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。81、 溅射是个化学过程，而非物理过程。82、 表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。83、 化学机械平坦化，简称CMP,它是一种表面全局平坦化技术。84、 平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。85、 反

3、刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。86、 电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。87、 在CMP为零的转换器。133、 CD是指硅片上的最小特征尺寸。134、 集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜135、 人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。136、 硅片制造厂可分为六个的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。137、 世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。138、 集成电路是由Ki1by和Noyce两人于1959年分别发明，并共享集成电路的专利。139、 侧墙用

4、来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。140、 多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。141、 大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。142、 常用的半导体材料为何选择硅？143、 晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。144、 硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm甚至更大，其原因是什么？145、 化学气相沉积146、 物理气相沉积147、 溅射镀膜148、 蒸发镀膜149、 替位式扩散150、 间隙式扩散12151、 有限表面源扩散152、 恒定表面源扩散153、 横向扩散1

5、54、 保形覆盖155、 简述两步扩散的含义与目的？156、 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各157、 简述离子注入工艺中退火的主要作用？158、 简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？159、 简述干氧氧化与湿氧氧化各自的特点，通常用哪种工艺制备较厚的二氧化硅层？160、 与普通溅射法相比，磁控溅射的特点是什么？161、 说明APCVD1PCVDPECVD各自的含义及特点。162、 简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么？主要有哪些方式？并解释各种方式的详细内容。163、 光刻工艺的主要流程有哪几步？什么

6、是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝164、 引线键合技术的分类及结构特点？165、 载带自动焊的分类及结构特点？166、 载带自动焊的关键技术有哪些？167、 倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？168、 比较各种芯片互联方法的优缺点？169、 埋层芯片互联一后布线技术的结构特点及发展趋势？170、 插装元器件的结构特点及应用？171、 插装元器件与表面贴装元器件主要区别？172、 表面组装电阻器主要有哪几类？各有什么特点？173、 矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？174、 片式瓷介电容器主要有哪几种类型？各有什么主要特点？175、

7、片式留电解电容和铝电解电容有什么主要特点和主要差别？176、 片式电感器的类型主要有几种？其结构各有什么特点？177、 其它表面组装元件主要是指哪些元件？这些元件各有什么特点？分别用在哪些场合？178、 简述BGA的安装互联技术？179、 BGA的封装结构和主要特点？180、 简述CSP的封装技术？181、 简述MCM的概念、分类与特性？182、 简述MCM的设计？183、 简述MCM的组装技术？184、 简述MCM的测试技术？185、 简述MCM的BGA封装？186、 堆叠封装的发展趋势？187、 封装中涉及到的主要材料有哪些？188、 简述引线材料？189、 简述引线框架材料？190、 简

8、述芯片粘结材料？191、 简述模塑料？192、 简述焊接材料？193、 SMT电路基板（SMB）的主要特点？194、 简述多层印制电路基板制造工艺？195、 集成电路测试的意义和基本任务？196、 集成电路测试的分类？197、 测试过程4要素？198、 旋涂膜层199、 互连意200、 接触201、 通孔202、 填充薄膜203、204、205、206、207、208、209、210、211、212、213、214、215、216、217、218、219、220、221、222、223、224、玻璃回流驻波效应光刻胶级联碰撞离子注入的晶格损伤离子注入的沟道效应核阻止机制电子阻止机制投影射程平均

9、投影射程Rp射程R横向扩散有限表面源扩散扩散的宏观机制扩散定义固溶度(so1ubi1ity)方块电阻(薄层电阻)短沟道效应(ShortChanne1Effect)CMP桥键氧非桥键氧网络改变剂225、226、227、228、229、230、231、232、233、234、235、236、237、238、239、240、241、242、243、244、245、246、干氧水汽氧化湿氧氧化分凝系数有限表面源扩散两步法扩散预淀积再分布核碰撞电子碰撞沟道效应退火RTA（RTP）物理气相淀积（PVd）真空蒸发饱和蒸气压升华直流辉光放电溅射化学气相淀积APCVD（常压CVD）1PCVD（低压CVD）247

10、、PECVD（等离子增强CVD）248、保形覆盖249、外延250、外延层251、外延片252、同质外延253、异质外延254、扩散效应255、自掺杂效应256、分子束外延（MBE）257、SOS258、SOI259、选择性外延260、光刻261、光刻三要素262、刻蚀263、U1SI对光刻的要求264、分辨率R265、临界曝光量266、阈值曝光量267、湿法腐蚀268、干法腐蚀269、 净化级别270、 杂质固溶度271、 有限源扩散272Moore1aw273、 特征尺寸274、 Fab1ess275、 SOI276、 RTA277、 微电子278、 IDM279、 Chip1ess280

11、、 1OCOS281、 STI282、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少,是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新283、 集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？284、 在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（1DD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生285、解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺,而不采用铝栅工艺？286、 什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？287、 在半导体制造技术中，高k介质和低k介质各自应用在什么地方，为什么？288、 阐述铜金属化面临的

12、三大问题，如何解决这些问题？289、 Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质，为什么？请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。290、 化学机械平坦化的工作机理是什么？与传统平坦化方法相比，它有哪些优点？291、 采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质量更高，为什么？那么目前8英寸以上的292、 为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢一氮混合气体退火？293、 比较投影掩模版和光学掩模版有何异同？说明采用什么技术形成投影掩模版上的图形？294、 在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电295、 为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限？为什么现在需要高K值（介电常数）的栅介质？低K介质用在什么296、 离子注入后为什么要退火，高温退火和快速热处理哪个更优越，为什么？297、 解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，1PCVD和APCVD