《集成电路先进制造工艺工程师》高级培训课程试题.docx

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1、集成电路先进制造工艺工程师高级培训课程试题一、单选题（每题2分,共20分）1、A1D期望的前驱体吸附过程为（）A.不可逆的饱和吸附B.可逆的饱和吸附C.不可逆的不饱和吸附D.不可逆饱和吸附没到饱和状态2、原子层刻蚀（A1E）能实现高精度其最为重要的特征为（）A.高刻蚀速率B.刻蚀过程具有自限制的特点IC.高选择比D.各向同性3、STEM-HAADF图像的信号来源于（）A.高角度弹性散射的透过电子（HW7%）B.小角度散射的透过电子C.背散射电子D.非弹性散射电子4、2DNAND的基本存储器件单元是（）A.MOSFETB.FG）C.CTMDJGBT5、3DNAND的基本存储器件单元是（）A. M

2、OSFETB.FGC.CTMD.IGBT6、NANDF1aSh以（）为单位进行擦除。A.B1ockB.PageC.StringD.Word7、NANDF1aSh以（）为单位进行读取。A.B1ockB.PageJ；力C.StringD.Word8、下面属于异质外延的是（）ASi上外延SiB. Ge上外延GeC. Ge上外延GaASD. GaAS上外延GaAS9、下面哪种前驱体的外延温度最低（）A.SiH4B.Si2H6C.Si3H8D.Si2H2C1210、外延工艺常用的硅源有（）A.HC1B.Ge2H6C.PH3D.SiC14二、多选题（每题3分,共60分）1、A1E刻蚀一般具有哪两个基本步骤

3、（）A.表面吸附B.表面修饰C.表面扩散D.表面修饰层去除，2、A1E的主要以下哪些优点（）A.刻蚀速率高B.刻蚀精度高C.刻蚀选择比高D.刻蚀微负载效应低3、下列哪些是各向同性的A1E技术（）A.C1修饰与Ar离去除修饰层的PEA1EB.热反应A1E刻蚀A12O33!C.自限制氧化与湿法去除氧化层A1ED.表面离子注入修饰与湿法去除修饰4、先进制程中下列哪些工艺有A1E技术需求（）A.多重图形化工艺（二）B.内侧墙工艺（;确备案）C.假栅刻蚀工艺D.自对准接触孔刻蚀工艺法去除修饰IE.垂直GAA沟道制备工艺I”）5、下列哪些方法属于破坏性失效分析方法（）A.SATB.OBIRCHC.FIBD

4、.TEM6、SEM图像的信号主要包括（）A.二次电子IB.背散射电子，C.特征X射线D.透射电子7、影响SEM图像衬度的因素（）A.表面形貌B.原子序数C.入射束能量D.样品导电性I8、TEM图像的主要衬度包括（）A.原子序数衬度B.质厚衬度C.衍射衬度D.表面形貌衬度9、2DNAND无法继续SCaIing的原因有（）A.工艺成本增大（正确答案）B.单元间耦合增大（C.单元存储电荷数量太少D.随机电报噪声增大J1栗）10、A1D对前驱体的要求，以下哪种符合（）A.良好的挥发性（HB.足够的反应活性（答案）C不能发生自分解（I-M）D.不能对薄膜或衬底具有腐蚀或溶解作用Ik以下哪些属于QC7大手

5、法？（）A.直方图（Histogram）B.管制图（COntroIChart）;IC.鱼骨图（CauseandEffectDiagram）;D.查检表（CheckSheet）;E.柏拉图（ParetoChart）;F.散布图（SCa1terDiagram）;G.层别法（Stratification）12、以下哪些属于YE部门主要职责？（）A.降低突发性缺陷异常状况；B.应对突发性公共安全事故；C.改善常态性缺陷状况；D.管理SPC13、晶圆制造过程中缺陷，主要包括哪些种类？（）A.晶圆上的物理性异物（如:微尘，工艺残留物，不正常反应生成物）.硝7）B.化学性污染（如:残留化学药品,有机溶剂）；

6、）C.图案缺陷;W）D.晶圆本身或制造过程中引起的品格缺陷。14、实施SPC主要原因在于？（）A.通过统计的方法，找出制程输出变异并为减小之所采取的行动;IJB.持续改善;（IC.及时发现生产过程的异常波动，降低产品报废率；1,D.在生产过程中的各个阶段（工序）对产品质量进行实时的监控与评估。案）15、CPk大小与下列哪些参数有关？（）A工艺规格（US1,1SD;（正确答案）B.工艺标准差（StandardDeviation,sigma）;C工艺精准度（K）；（n）D.以上都有关16、外延工艺常用的错源有（）A.GeH4B.Ge2H6C.DCSD.Si2H2C1217关于OCAP（OutofC

7、ontro1ActionP1an）,以下表述正确的是？（）AQCAP是由控制规则决定的在失控条件下应采取的可重复性的应对行动；案）BQCAP是超出管制界限的应用对策7C每一张控制图（SPC）都需要包含OCAP;D.控制图（SPC）出现OCAP,要依照一定的流程找出原因，采取相应的行动确答案）18、以下哪些属于SPCWE判异规则？（）A某一点超出三倍标准差;）B.连续三点中，有两点超出两倍标准差并在中心线同侧;C.连续五点中，有四点超出一倍标准差并在中心线同侧1囹YQD.连续八点都在中心线一侧；E.某一点超出两倍标准差；F.连续七点递增或递减。19、楮硅选择性外延中常用的刻蚀性气体是（BC）A. PH3B. C12C. HC1案）D. DCS20、PEA1D的优势有：（）A.降低沉积温度；B.提高沉积速率MC.拓宽了A1D生长薄膜种类;芸）D.减小成核延迟；E.增强了工艺灵活性）三、简答题（每题4分,共20分）1、硅外延的优点有哪些？填空题2、简述A1D的优势.填空题3、简述SPC定义.填空题4、简述FEMA基本概念填空题5、简述什么是硅基光子学？填空题