《Canddence Sigrity中用Power SI进行DDR3走线阻抗与耦合检查分析.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《Canddence Sigrity中用Power SI进行DDR3走线阻抗与耦合检查分析.docx(24页珍藏版)》请在第一文库网上搜索。
1、Canddence Sigrity中用Power SI进行走线阻抗与耦合检查分析(组件 ERC-Trace lmp/cpl/ref check)基于信号完整性考虑,检查PCB阻抗和其耦合串扰是否满足要求,是硬件工程师的必要工作。对于有较多高速或信号线的PCB来说,手动检查费时费力效果也不好,非常容易漏掉一些关键点,有必要寻找一种自动检查的方法。如下介绍基于仿真软件Sigrity的自动检查,其快速、准确,不仅降低了工程师的工作量,且改善了检查的结果,有利于PCB的优化。Sigrity软件Power SI进行走线阻抗与耦合检查分析有两点需要注意:第一个是这个功能计算出来的阻抗和ST9000会有一点
2、偏差。第二个是其耦合度检查只能检查同层之间的耦合,对于不同层之间的耦合还无法进行检查。不过在绝大多数的设计中,现有的这个功能已经够用了,通过这个方式可以非常快速的对整版或是重点关注的信号进行阻抗及耦合的检查,找到设计的薄弱环节进行整改。321阻抗和耦合阻抗:在具有电阻、电感和电容的电路里,对交流电所起的阻碍作用叫做阻抗。阻抗常用Z表示;常见阻抗控制单端阻抗50欧有些特些场景要求控制40欧,如XC7Z010-DDR3VGA阻抗75欧差分阻抗100欧有些特些场景要求控制80欧,如XC7Z010-DDR3USB的差分阻抗90欧LVDS、HDML SATA100欧耦合性:couping,也叫耦合度,是
3、对模块间关联程度的度量。耦合的强弱取决与模块间接品的复杂性、调用模块的方式以及通过界面传送数据的多少?3.3以仿XC7Z010CLG400与2片32位DDR3阻抗和耦合分析为例1POWERSISigrity Suite Manager -PowerSI-powerSI- 选择组件ERC-Trace lmp/cpl/ref checkImp/cpl:表示阻抗和耦合设置仿真参数检查和设置:loadLayout File-.brd 文件(.Spd)-保存-看output报告。1)在载入.brd文件时,power S1软件自动跳转至“ ModelExtraction的界面了,这时我们要重新选择ERC组
4、件。2)有问题要修改。比如短路等,在转换的时候会有些出错。这一步需要点时间,保存就是在核对的过程。检查叠层:check stackup-view Malerial焊盘的设置修改成实际的板厚、基材等信息。要根据厂家的信息来填写。1lir Cater larai. fTUon Lsyvharw口TKirwmCaaniNMr.cowmCsrdLcvtl.GSHSffXcXktk EawryO frmogartw rrgwcrBJkaT asqwtopp00MMU7 kU 0kS jMe 他7一:Q.一C国1 1OQ加$34X2 S 三;一贴j - td瓜.必, K2*rj(wrOJU?0.5WJS6
5、gm2OVDtm加S ltK丁 *. ,;丁 ” i,?:!,;*心 ,fliwS_77e. nr:I 1,*280X)127CVWI3.t.i0x7999901a, (Qoa”*什加所M 0,,tluujj.uj*Zr3t yMTryt/ 5VMca*tncm加/SetupP/G nets-next将所有的电源网络归类到电源大类(右键-classify as powernets)-next(左边一列所有的电源参考平面都为地需要填写GND,右边列所有的电源都得填写各自电压)-finish选取网络,需要仿真的电源网络以及信号网络。1)选取电源网络:选取模块需要的供电电源网络;注意:选取的差分网络
6、,对于P端要赋予正极的标注。环氧树脂是BT;Er为材料的介电常数;Loss tangent损耗因数;Detect and model the coplanar traces共面轨迹的检测与建模选取器件:器件选择把要仿真的网络对应的器件(这里面我们选取CPU以及对应的两片DDR3)(2)选取信号网络:选取芯片需要仿戈的网络(注意点:这里面分为三种情况,一种是单纹,一种是差分,一种星小组)单线:万分:克接选取网络6 0 BDOR_DQ50P选取M络后,P暨显示I字恻圈标注旦!必-e小组:选取两编的网络后,石击Seized Neu 组合成个网络即可。勾选模式,第一个必须勾选,其它三个根据各自情况勾选
7、(前面有勾即为模式勾选成功。),Select: Run ERC Sim & Check ViolationsSelect: Load Results & Check ViolationsSetupOptionaksetup net groups选择发送端芯片或内存控制器或者直接找,输入U1;网络我们之前已经选择过,该步骤直接跳过,点击下一步。串阻之间的value值需要补上,根据实际情况,比如22欧姆或33欧姆。设置ERC仿真参数,保存文件,到此参数设置完成,即可运行仿真。3.3.1 DDR3阻抗连续性和耦合仿真分析第一步:打开powers1提取当前的电路板II程文件,提取完成后会自动生成.sp
8、d格式的文件。MCMQuyvCalr :46第二步:软件会根据brd文件自动生成一个默认的层叠信息,根据实际电路板情况进行参数调整aaaaoaaIIIHIIIItuinniiSKaBa% 山林里wy yy7 3 nimaaaaaa w:1s.i *521) 8.li,:Rtkk1*Xu? ?M1, , BT第:; :2。XG 金元花 4 W 一 一 : N utwUx:/ 17一入|3? ,三cideace - *“8.6vccotvattua wguvctMa VCC1V5vcci.vr.ACC LIV* GM 14y0d WOvtoM”* m.”福助灯的电源酥剂”:第煨大*:,.” gr
9、AiZ 59rv* -r*. rr ,,.g,8心阕-L - 二Da 1 口岸cadence MUVCCM0-w同,.CC*3“9。1 VCCBUM工gn GrdWt * “X,二3三三填七相应的电注电注为也.韩逸泮粗应的参效MTW * ”,Ecideftce - QU E:CK v - - * -: * -i, . * * W i .如wgv上li见*i f/aJ,. *: r*,、”,o i .ts-is?I U J 24, 14i awx JBtO*l_DO ,i jb/ rwx _ fln*3 arwo口)113 ) J G9I.WX口S/JOW口 一 Bm/vcc口0 WCO I flux 3 t o口mwn wx口m .I vcctvl 1MI arc _!wxmanD-lBooo.0O , .Mte口口UsLJ I .R , rcooc I HUXX.口_口wm口,物O J 230 FSVM: J 50 KC,口,!0.1 no.iwi/口誉E MXIn . sccadence *7 Q / OOOLC:,-:一Net H TaMtwHotB*)J TbrCeZ Wvwwry VabtoCcvf1 公Vw*Aew*Cp-CMWd Tate*vd*v LrMtMH G,r 43 TW/PM -B 不Q BvccmS