电子信息产业集成电路与新型显示重大科技专项项目申报指南.docx

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1、电子信息产业集成电路与新型显示重大科技专项项目申报指南总体绩效目标：研发重大创新产品15个，突破关键核心技术42项，申请或授权发明专利56件，带动实现销售收入(或产值)36亿元。资金支持方式：专项资金采取前补助支持方式。实施周期：2023年11月一2027年12月。有关要求：1 .每个项目的联合申报单位原则上不超过5个，下设课题原则上不超过5个。2 .项目负责人须具有高级职称，课题负责人须具有高级职称或博士学位。目前承担有科技计划其他类别在研项目和申报过2023年度其他项目的负责人，可申报重大科技专项项目1项。目前还在限制申报期内的项目负责人不得牵头申报。3 .牵头申报企业2023年主营业务收

2、入须超过5000万元，或者利润须超过IOOO万元。4 .在符合条件的情况下，优先支持省创新联合体、国家实验室、国家技术创新中心、全国重点实验室的主要依托企业。支持方向和重点：1 .集成电路。1.1 嵌入式非挥发性存储器IP研发。(1)研究内容。开展多次可编程存储技术、单次可编程存储技术、多晶硅栅电熔丝技术等非挥发性存储器的关键技术研究，提高编程速度、擦除速度、数据保持时间等指标。研究标准工艺的嵌入式存储IP设计，适应标准工艺的IP环境，减少额外光罩层次或工艺步骤，可实现快速导入芯片设计。设计并开发符合ISO26262标准的车规级嵌入式非挥发性存储IP产品，提升其操作温度、高温操作寿命、高温数据

3、保持时间等指标。（2）考核指标。突破关键技术3项以上，申请或授权发明专利5项以上，形成产品不少于2个，针对汽车电子芯片的需求，在国内主流工艺平台进行车规级验证，技术成果应用于汽车电子相关企业。（3）有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过800万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。1.2 基于PCI/SATA二合一的高速存储接口COMBOPHYIP核。（1）研究内容。研究开发符合SATA3.0协议及PCIE2.0协议的多功能高速存储接口CoMBOPHY1P核，完成IP授权；形成国外同类替代产品，支持15G/2.5G/5G/6G等节点高速数据收发，支持P

4、CS子层功能，具备外信号通讯、低功耗模式切换等功能，符合SATA3.0及PCIE2.0的一致性测试规范电气特性。（2）考核指标。突破关键技术3项以上，申请或授权发明专利4件以上，形成IP授权不少于5项，技术成果应用于存储主控芯片和数据运算相关企业。(3)有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过800万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。1.3 四通道射频多功能芯片研发。(1)研究内容。研究高精度电磁场协同仿真技术，提高仿真精度和设计效率；开展多通道集成MCM芯片设计研究，在实现多功能、高性能情况下，减小封装尺寸；研究新型低功耗高线性度放大结构设计，提高

5、线性度、降低功耗等关键指标；研究高可靠性封装技术，提高高温工作要求下各项指标稳定性。(2)考核指标。研发多通道集成MCM芯片，突破关键核心技术不少于3项，申请或授权发明专利5件以上，形成产品2个以上，技术成果应用于无线通信相关企业，实现国产化产品供应。(3)有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过IOOo万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。1.4 毫米波核心芯片关键技术研究。(1)研究内容。开展高性能收发通道芯片和电源管理芯片一体化优化设计、宽电压范围CMOS电源管理以及多通道电流采样等技术研究，提高无线通信系统发射机的动态适应范围；研究硅基收发通道

6、高隔离度技术，减少功能模块相互干扰；研究高频段毫米波噪声抑制大功率输出技术，提高灵敏度和可靠性；开展毫米波高功率及低噪声放大技术研究，提升放大器芯片的饱和输出功率，增加射频芯片功率。研制拥有自主知识产权的具有电源管理功能的高功率、低噪声收发前端芯片。(2)考核指标。突破关键技术4项以上，申请核心芯片发明或授权专利不少于5件，形成产品2个以上，技术成果应用于下一代无线通信企业。(3)有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过800万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。1.5 高密度、高效率SiCJBS功率芯片制备。(1)研究内容。针对新能源充电桩等小型化、

7、高效率电源装备领域所急需的高频高压SiC二极管产品需求，开展SiC结势垒二极管器件的大规模制造技术研究，突破高压低导通压降结型二极管载流子输运机理和结构设计优化技术；突破阳极接触、SiC刻蚀、衬底减薄、激光退火欧姆接触等工艺技术，具备开展SiCJBS器件大规模生产制造的技术和能力。从高压低导通压降结势垒二极管结终端设计优化、关键工艺技术开发、器件流片研制与测试三个方面开展系统研究，解决SiC结势垒二极管器件制造技术中阴极制备、器件热管理优化、良率提升等关键工艺瓶颈问题。研发高频高压SiCJBS二极管及碳化硅二极管器件。(2)考核指标。突破关键技术不少于2项，申请或授权发明专利6件以上，形成产品

8、2个以上，技术成果应用于汽车电子相关企业。(3)有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过800万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。1.6 功率芯片封测工艺研发与应用。(1)研究内容。研究高功率密度、无引脚封装结构、低封装损耗和优化散热等封装技术，突破高功率大芯片低损耗技术和热管理技术；研究封装系统电磁兼容与信号隔离、多排阵列框架、大电流低热阻封装技术，实现功率器件低信号延迟、高可靠性、良好传导、低阻抗大电流能力。研究建立具有全面自主知识产权、产品成熟度高的功率芯片研发设计、封测平台，开发电流达30OA的汽车功率芯片封测模组。(2)考核指标。突破关键技

9、术不少于3项，申请或授权发明专利5件以上，形成产品3个以上，产品转化应用于汽车电子相关企业。(3)有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过300万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。1.7 超高速800G光模块封装测试研究。(1)研究内容。研究高精度贴装与高集成度混合封装技术,实现自动化光学封装；开发高精度多维光学耦合系统，开展先进耦合算法研究，提高耦合效率；突破光电接口带宽限制，实现基于直接调制方案的低成本单通道20OG超高速率数据传输。研制超高速80OG光模块等系列产品，包括硅光平台马赫曾德尔调制器/大功率连续光波激光器，实现并行多路的共享光源架构

10、；研制四通道EM1激光器，确保高可靠性气密封装架构。(2)考核指标。突破关键技术不少于3项，申请或授权发明专利5件以上，形成产品2个以上，实现低功耗、高集成和高速率性能的硅光模块的推广与应用，技术成果应用于数据中心相关企业。(3)有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过500万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。2 .新型显示。2.1 全面屏柔性AMO1ED显示技术研究。(1)研究内容。面向柔性AMO1ED全面屏超高屏占比、无开口屏下摄像功能等需求，开展柔性AMo1ED面板多种像素密度混合驱动设计、研制工艺和测试技术研究；研究摄像头对应区域高像素密度、

11、高MD1透过率、高亮度和高寿命显示等关键技术，相关指标满足产业化要求。(2)考核指标。突破关键技术3项，申请或授权发明专利3件以上，形成全面屏产品23个。技术成果应用于新一代屏下摄像手机，形成真正意义上的全面屏。(3)有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过IOOO万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。2.2 高画质低功耗可折叠柔性AMO1ED显示技术研究。(1)研究内容。开展柔性AMO1ED超薄堆叠结构仿真与设计，降低功耗的同时不影响显示画质；研究开发超薄可弯折高折射率材料，满足厚度需求与信赖性测试标准；开展弯折堆叠设计研究，通过优化堆叠设计，避免E

12、ES结构与现有堆叠发生分层、断裂等。研发可折叠柔性AMo1ED显示产品，其弯曲半径、功耗、显示MD1反射率和厚度、常温动态弯折、温湿度条件动态弯折等技术指标性能优异。(2)考核指标。突破关键技术3项，申请或授权发明专利3件以上，形成产品2-3个。技术成果应用于高分辨率超薄柔性折叠终端屏，支持大尺寸柔性显示终端制造。(3)有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过1000万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。2.3 8K激光移轴变焦投影关键技术研究。(1)研究内容。开展基于振镜组合D1P芯片的方案设计，缩小光学系统体积；研究移轴镜头技术，实现影像位置电动调

13、整;突破镜头自动调焦技术，解决调整后不同位置画质和解析度变差的问题；突破振镜自动相机优化技术，实现振镜参数最优化，确保像质最佳。研发高解析、高亮度、高色域8K激光移轴长焦投影显示产品。(2)考核指标。突破关键技术3项，申请或授权发明专利3件以上，形成产品23个。技术成果应用于激光投影显示生产企业，并实现批量化生产。(3)有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过560万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。2.4 超低散斑激光显示光学屏技术研究。(1)研究内容。研究激光显示中复合散斑的自相关特性和功率谱分布，建立复合散斑模型和实验方法，突破光学屏领域散斑抑

14、制技术；建立光学屏融合架构的光学仿真、光利用效率的评价体系和测试方法，为行业提供更高效评价标准，促进行业技术升级；研究基于微纳结构的表面光整形技术，突破现有光扩散技术的能量利用极限，提升屏幕的光利用效率，实现光机小型化、节能化的环保需求；开展基于粒子的光散射、吸收和辐射模型研究，实现更优异的光散射分布，达到超清与均匀画质的视觉效果。(2)考核指标。突破关键技术3项，申请或授权发明专利3件以上，制定行业标准1项，形成产品23个。大尺寸高分辨率激光投影显示屏产品在家用环境、影院环境等场景取得良好应用示范效果。(3)有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过560万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报

15、，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。2.5 高世代产线用高精度掩膜版技术研究。(1)研究内容。开展掩膜版涂布技术研究，掌握G6及以上产线高精度光阻涂布技术，实现该尺寸领域光阻涂布技术自主化；开展高精度激光直写技术研究，掌握高PP1图形MUra控制技术、多图形混版MUra控制技术；开展图形精度测量及校正技术研究，掌握高精度DCM补偿技术；开展高精度缺陷修复技术研究，掌握高PP1图形、复杂图形修复技术。(2)考核指标。突破关键技术3项，申请或授权发明专利3件以上，形成产品2-3个，研究成果应用于G6及以上高精度二元及半色调掩膜版的生产制造。(3)有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过560

16、万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。2.6 AMO1ED用磷光发光材料国产化关键技术研究。(1)研究内容。开展O1ED发光材料有机分子发光过程激发态调控、分子设计、发光器件优化等方面研究，完成O1ED有机发光材料红、绿、蓝发光和主体材料结构研制并满足工业应用，形成具有完全自主知识产权的有机磷光发光材料的国产化供应。(2)考核指标。突破关键技术3项，申请或授权发明专利3件以上，形成产品23个，发光材料应用于O1ED生产厂家。(3)有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过760万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。2.7 大幅宽PMMA偏光片基膜关键技术研究。(1)研究内容。开展大宽幅PMMA基膜制备关键技术研究，掌握光学树脂共挤技术和