PN结电容电压特性测量.docx

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1、PN结电容电压特性测量一、数据记录1、PN结正向直流偏压特性O0.10.20.30.40.50.60.70.80.9V15.5418.7923.0740.356.3291.55123.5145.7191.4252.8Pf11.11.21.31.41.51.61.71.81.9V323.2378.3453.5552.4638.5735.6812.3881.5949.21034Pf22.12.22.32.42.52.62.72.82.9V1130120512591353146515671638169217741875Pf33.13.23.33.43.53.63.73.83.9V1938204021

2、382236228823662486259226612739Pf44.14.24.34.44.54.64.74.84.9V2820290630073087318432703355346235553662Pf56789101112V3749459655506479743383729282Pf2、PN结反向直流偏压特性00.10.20.30.40.50.60.70.80.9V15.0813.8412.811.8911.3510.9410.5210.099.879.55Pf11.11.21.31.41.51.61.71.81.9V9.289.138.918.748.578.48.238.17.957

3、.84Pf22.12.22.32.42.52.62.72.82.9V7.727.597.497.427.327.227.127.046.956.89Pf33.13.23.33.43.53.63.73.83.9V6.846.766.716.676.596.536.466.46.356.3Pf44.14,24.34.44.54,64.74.84.9V6.276.216.166.126.086.045.995.965.925.87Pf56789101112V5.835.515.265.054.874.74.564.44Pf二、数据分析1、PN结正向直流偏压特性曲线如下图1：0/VUPN结正向偏压故扩

4、散电容随偏置电压的增加而增加。2、PN结反向直流偏压特性如下图2：10000-9500-9000-8500-8000-7500-7000-6500-6000-5500-5000-4500-4000-3500-3000-2500-2000-1500-1000-500-0图1在较大的正向直流偏压下，扩散电容起主要作用，总的微分扩散电容:PN结反向偏压图2当外加反向直流偏压时，由于势垒电容：故在反向偏压下，势垒电容随偏压IV1的增加而减小。误差分析：本实验中存在由于实验装置本身的缺陷导致的系统误差三、思考题什么是PN结的电容效应？它有哪些应用？答：在PN结（两种半导体的交界处）会因为外加电压产生一定电荷积累，即结电容效应。根据成因分为“势垒电容”和“扩散电容”。PN结电容在向PN结施加反向电压时会发生变化，电压越高时，结电容越小，反之越低。利用这个特性，只要能精确的控制加在PN结上的电压即可实现对电容量的精确控制，由于结电容比较小，通过隔直流电容以后可以用在任何需要改变电容的小电容场合。在无线电接收或发射机上由于频率较高，所需的电容量较小，刚好符合PN结电容变化的程度。因此，现在在无线电收发机上变容二极管的使用相当广泛，目前的电视机，电调收音机都是采用变容二极管实现的。