家用电磁炉工作原理.docx

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1、名目一、简介1. 1电磁加热原理1.2458系列简介二、原理分析2.1特殊零件简介LM339集成电路2. 1.2 IGBT2. 2电路方框图2.3 主回路原理分析2.4 振荡电路2.5 IGBT激励电路2.6 PWM脉宽调控电路2.7 同步电路2. 8加热开关掌握2.9VAC检测电路2. 10电流检测电路2. 11VCE检测电路2.12浪涌电压监测电路2.13过零检测2.14锅底温度监测电路2. 15 IGBT温度监测电路2.16散热系统2. 17 主电源2. 18帮助电源2. 19 报警电路三、故障修理2.1 故障代码表2.2 主板检测标准3. 2.1主板检测表3. 2. 2主板测试不合格对

2、策3. 3 故障案例3. 3. 1故障现象1一、简介1. 1 电磁加热原理电磁灶是一种采用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电路将5060Hz的沟通电压变成直流电压，再经过掌握电路将直流电压转换成频率为20-40KHz的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿（导磁又导电材料）底部金属体内产生很多的小涡流，使器耻本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。1.2458系列简介458系列是由建安电子技术开发制造厂设计开发的新一代电磁炉，界面有LED发光二极管显示模式、LED数码显示模式、LCD液晶显示模式、VFD莹光显示模式机种。

3、操作功能有加热火力调整、自动恒温设定、定时关机、预约开/关机、预置操作模式、自动泡茶、自动煮饭、自动煲粥、自动煲汤及煎、炸、烤、火锅等料理功能机种。额定加热功率有70（3000W的不同机种,功率调整范围为额定功率的85%,并且在全电压范围内功率自动恒定。200240V机种电压使用范围为160260V, 100120V机种电压使用范围为90135V,全系列机种均适用于50、60Hz的电压频率。使用环境温度为-2345。电控功能有锅具超温爱护、锅具干烧爱护、锅具传感器开/短路爱护、2小时不按键（遗忘关机）爱护、IGBT温度限制、1GBT温度过高爱护、低温环境工作模式、1GBT测温传感器开/短路爱护

4、、凹凸电压爱护、浪涌电压爱护、VCE抑制、VCE过高爱护、过零检测、小物检测、锅具材质检测。458系列虽然机种较多，且功能简单，但不同的机种其主控电路原理一样，区分只是零件参数的差异及CPU程序不同而己。电路的各项测控主要由一块8位4K内存的单片机组成,外围线路简洁且零件极少，并设有故障报警功能,故电路牢靠性高，修理简洁,修理时依据故障报警指示,对应检修相关单元电路,大部分均可轻易解决。二、原理分析2.1 特殊零件简介LM339集成电路LM339内置四个翻转电压为6mV的电压比较器，当电压比较器输入端电压正向时（+输入端电压高于-入输端电压），置于LM339内部掌握输出端的三极管截止，此时输出

5、端相当于开路；当电压比较器输入端电压反向时（-输入端电压高于+输入端电压），置于LM339内部掌握输出端的三极管导通，将比较器外部接入输出端的电压拉低,此时输出端为OVoIGBT绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。SGW25N120 cETO247ACG C TO-3PTO 264目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极(见上图)，分别称为栅极G(也

6、叫掌握极或门极)、集电极C(亦称漏极)及放射极E(也称源极)。IGBT的特点:1 .电流密度大,2 .输入阻抗高,3 .低导通电阻。4 .击穿电压高,5 .开关速度快,从IGBT的下述特点中可看出，它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷，就是于高压大电流工作时,导通电阻大，器件发热严峻，输出效率下降。是MOSFET的数十倍。栅驱动功率微小，驱动电路简洁。在给定芯片尺寸和BVceo下，其导通电阻Ree (on)不大于MOSFET的Rds (on)的10%,平安工作区大，在瞬态功率较高时不会受损坏。关断时间短，耐压lkVl. 8kV的约1. 2us.600V级的约0. 2us,约为GTR的10%,

7、接近于功率MOSFET,开关频率直达100KHz,开关损耗仅为GTR的30%。IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体，是极佳的高速高压半导体功率器件。目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下：(1) SGW25N120西门子公司出品，耐压1200V,电流容量25时46A, 100C时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(DI 1)使用，该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120o(2) SKW25N120西门子公司出品，耐压1200V,电流容量25C时46A

8、, 100C时25,内部带阻尼二极管，该1GBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。(3) GT40Q321东芝公司出品，耐压1200V,电流容量25时42A, 100C时23A,内部带阻尼二极管，该IGBT可代用SGW25N120. SKW25N120,代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的DI 1快速恢复二极管拆除不装。(4) GT40T101东芝公司出品，耐压1500V,电流容量25时80A, 100时40,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用，该1GBT配套6A/1200V

9、以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321,配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(DI 1)后可代用 GT40T301o(5) GT40T301一一东芝公司出品，耐压1500V,电流容量25时80A, 100C时40A,内部带阻尼二极管，该IGBT 可代用 SGW25N120s SKW25N120. GT40Q32k GT40T101,代用 SGW25N120 和 GT40T101 时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(6) GT60M303 东芝公司出品，耐压900V,电流容量25时120A, 100时60A,内部带

10、阻尼二极管。2.2 电路方框图主回路报警电路散热系统IGBT漫助方法电路电流检测mm2. 3主回路原理分析时间tll2时当开关脉冲加至Q1的G极时,Q1饱和导通，电流il从电源流过L1,由于线圈感抗不允许电流突变.所以在tt2时间il随线性提升,在t2时脉冲结束,Q1截止，同样由于感抗作用，i 1不能马上变0,于是向C3充电,产生充电电流i2,在t3时间,C3电荷布满，电流变0,这时L1的磁场能量全部转为C3的电场能量,在电容两端消失左负右正,幅度达到峰值电压,在Q1的CE极间消失的电压实际为逆程脉冲峰压+电源电压,在tt4时间,C3通过L1放电完毕，i3达到最大值，电容两端电压消逝,这时电容

11、中的电能又全部转为L1中的磁能，因感抗作用，i3不能马上变0,于是L1两端电动势反向，即L1两端电位左正右负，由于阻尼管DH的存在,C3不能连续反向充电，而是经过C2、011回流，形成电流i4,在t4时间，其次个脉冲开头到来，但这时Q1的UE为正,UC为负，处于反偏状态,所以Q1不能导通,待i4减小到0, L1中的磁能放完，即到t5I士R9，C8T 时QI才开头其次次导通,产生i5以后又重复iri4过程,因此在L1上就产生了和开关脉冲f(20KHz30KHz)相同的沟通电流。t4t5的i4是阻尼管DH的导通电流，在高频电流个电流周期里,t2t3的i2是线盘磁能对电容C3的充电电流,t3t4的i

12、3是逆程脉冲峰压通过L1放电的电流,tt5的i4是L1两端电动势反向时.，因DH的存在令C3不能连续反向充电，而经过C2、D11回流所形成的阻尼电流,Q1的导通电流实际上是il。Q1的VCE电压变化:在静态时,UC为输入电源经过整流后的直流电源,tt,2,Ql饱和导通,UC接近地电位，l4t5,阻尼管D11导通,UC为负压(电压为阻尼二极管的顺向压降)，t2t4,也就是LC自由振荡的半个周期,UC上消失峰值电压,在t3时UC达到最大值。以上分析证明两个问题:一是在高频电流的一个周期里，只有il是电源供应L的能量,所以il的大小就打算加热功率的大小，同时脉冲宽度越大，tt2的时间就越长，il就越

13、大,反之亦然,所以要调整加热功率，只需要调整脉冲的宽度;二是LC自由振荡的半周期时间是消失峰值电压的时间，亦是Q1的截止时间，也是开关脉冲没有到达的时闻这个时间关系是不能错位的，如峰值脉冲还没有消逝,而开关脉冲己提前到来，就会消失很大的导通电流使Q1烧坏,因此必需使开关脉冲的前沿与峰值脉冲后沿相同步。2.4 振荡电路(1)当G点有Vi输入时、V7 OFF l (V7=OV), V5等于D12与D13的顺向压降,而当V6(V5之后,V7由OFF转态为ON, V5亦提升至Vi,而V6则由R56、R54向C5充电。(2)当V6V5时,V7转态为OFF,V5亦降至D12与D13的顺向压降,而V6则由C

14、5经R54、D29放电。(3) V6放电至小于V5时，又重复(1)形成振荡。“G点输入的电压越高，V7处于ON的时间越长，电磁炉的加热功率越大,反之越小”。2.5IGBT激励电路振荡电路输出幅度约4. IV的脉冲信号,此电压不能直接掌握IGBT(Q1)的饱和导通及截止,所以必需通过激励电路将信号放大才行,该电路工作过程如下：(1) V8 OFF 时(V8 = 0V),V8V9,V10 为低,Q8 和 Q3 截止、Q9 和 Q10 导通,+22V 通过 R71、Q10 加至 Q1 的 G极,Q1导通。2.6 PM1脉宽调控电路CPU输出PWM脉冲到由R6、C33、R16组成的积分电路,PWM脉冲宽度越宽,C33的电压越高,C20的电压也跟着提升，送到振荡电路（G点）的掌握电压随着C20的提升而提升，而G点输入的电压越高，V7处于ON的时间越长，电磁炉的加热功率越大，反之越小。“CPU通过掌握PWM脉冲的宽与窄，掌握送至振荡电路G的加热功率掌握电压，掌握了 IGBT导通时间的长IC5CPU1.1短，结果掌握了加热功率的大小”。2.7同步也路(Leut)Cl CN4(LIN卜13TC.R78、R51分压产生V3,R74+R75、R52分压产生V4,在高频电流的一个周期里，在12 14时间（图1）,由于C3两端电压为左负右正，所以V