光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第3部分光源用电吸收调制型半导体激光器芯片_SJT 11856.3-2022.docx

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1、ICS33.180CCSM33中华人民共和国电子行业标准SJ/T11856.32023光纤通信用半导体激光器芯片技术规范第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片Specificationforsemiconductor1aserchipusedinoptica1fibercommunicationPart3：e1ectroabsorptionmodu1atedsemiconductor1aserchip2023-10-20发布2023-01-O1实施中华人民共和国工业和信息化部发布IIIIV术语和定义缩略语光电特性芯片材屑表面就6芯片剪检验分类筛选.测试网测试光电特电技术要求.5.15.2

2、5.35.45.55.65.75.85.95.105.115.12检:验方法.6.16.26.36.46.5物理特性.环境适应性.检验规则.7.17.26心INR122244444444444555567777前言引言1范围12规范性引用文件17.3 出厂检验87.4 型式检验88包装、标志、产品说明书和贮存.98.1 包装98.2 标志108.3 产品说明书108.4 贮存1010其他11附录A（规范性）波长分配表本文件按照GB1.1-2023标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件是SJ“11856光纤通信用半导体激光器芯片技术规范的第3部分。请注意本文件的某些

3、内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本文件起草单位：武汉光迅科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、武汉信息光电子创新光纤通信用半导体激光器芯片作为光通信模块的核心、基础组成部分，为光通信产业规模化发展和产业运行安全提供重要保障。开展光通信芯片的标准制定工作，统一和规范光纤通信用半导体激光器芯片的关键参数,有利于推动我国光通信相关产业链规范化发展,及时满足光通信网络快速规模部岩需求。SJ/T11856旨在规范光纤通信用半导体激光器芯片的术语和定义、缩略语、技术要求、可靠性要求、测量和试验方法、检验规则、包装、标志、产品说明

4、书和贮存等。由于不同芯片的应用场景，工作机理和技术参数等存在较大差异，因此制定本系列标准，拟由五个部分构成。 第1部分：光源用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片。 第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片。 第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光芯片。 第4部分：光源用布拉格反射器可调谐半导体激光器芯片。 第5部分：单模泵浦半导体激光器芯片。1范围光纤通信用半导体激光器芯片技术规范第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片本文件规定了光纤通信用电吸收调制型半导体激光器芯片(以下简称“芯片”)的术语和定义、缩略语、技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、产品说明书和贮存等。本

5、文件适用于IOGbaUd(NRZ).25Gbaud(NRZ/PAM4)和50GbaUd(NRZ/PAM4)电吸收调制型半导体激光器芯片(EM1),和贮存指定义适08和波K(m)Q方法:性试验方法3部分：操作：)I；)0172018V2116半Seodcsuppressionratio豪部分：按接收质货2规范性引用文件下列文件中的仅该日期对应的文件。GB/T28GB/T2GB/TGB/TGBrrGBSJ/TE73术语GB/T3.1边模抑激光器光3.2-20dB谱宽-2MB测得的比峰值i；不注日期的引用文件，其最功率峰值强度与最大边模光功率峰值强度之01中,注日期的引用文件,的修改单)适用于本批检

6、验抽样计划3.3调制带宽bandwidth激光器的频率响应从直流点到3dB频率点的宽度。正向电压forwardvo1tage在规定的正向电流下激光器两端的压降。消光比extinctionratioEA在最大工作电压到OV之间最大输出光功率和最小输出光功率的差值，单位为分贝(dB)。4缩略语下列缩略语适用于本文件。AQ1接收质量限(ACCePtanCeQUa1ity1i1nit)CWDM-r粗波分复用(COarSeWaVe1engthDiViSiOnMUkiPIeXing)DWDM密集波分复用(DenSeWaVeIengthbiViSiOnMUItiPIeXing)EA电吸收(E1ectroAb

7、sorption)EM1电吸收调制型半导体激光器(E1eCtrAabsorptionModu1atedSemiconductor1aser)ER消光比(ExtinctionRatio)ESDS静电放电敏感度(E1eCtroStatiCDiSChargeSenSitiVity)1TPD批允许不合格品率(1otTo1erancePercentDefective)1WDM细波分复用(1ANWaVeIengthDiViSionMUItiPIeXing)NRZ非归零(NonReturntoZero)PAM44电平脉冲幅度调制(41eve1Pu1seAmp1itudeModu1ation)PRBS伪随机码

8、(PSeUdORandOmBinarySeqUenCe)5技术要求5.1 光电特性5.1.1 绝对最大额定值芯片绝对最大额定值见表1.表1绝对最大额定值参数名称符号最小值最大值单位激光器正向电流EA不加调制,一150mEA加调制/f110m激光器反向电压Fr2VEA调制电压Vm-3.51.0V工作温度.74065贮存温度%4085村底温度5.1.2光电技术指标特性10Gbaud1550nmEM1型芯片的光电技术指标特性见表225Gbaud1310nmEM1型芯片的光电技术指标特性见表3。50Gbaud1310nmEM1型芯片的光电技术指标特性见表4.波分应用下芯片的中心波长应符合A.1、A.2

9、和A.3的规定。表2IoGbaUd155OnmEM1型芯片的光电技术指标参数符号测试条件最小值最大值单位阀值电流AhVm=Vo30mA激光器正向电压VfZp=Ajp2V工作电流JopPa=OV40150mA输出功率Pf依Mp,%a=0V,7op=45oC5一mW静态消光比DCERff-1VPEA=PEAmia_09一dB边模抑制比SMSRrbp.Fea0V35一dB斜率效率7bp=45oc,Fea=OV0.08一W/A中心波长K),j10QmA*5301565nm光谱宽(-2OdB)人0.3nm调制带宽_22.,)逐竣然然:?依微修m激光器正向屋1，V工作Hr,1史mA输出小MJZTbk45C

10、S匠mW舲态消1bJIDCER.SV,.Jx2V工作电流Iotx50100m输出功率Pf/F=fop,Fea=OV,7op=45C5一mW静态消光比DCERf=fop.FkFFfEAniin-O9一dB边模抑制比SMSRIf=hr,Fea-OV35dB中心波长Top,=100mA1264.51336.5nm斜率效率n7bp=45oC,Pea=OV0.08W光谱宽(-2OdB)ZU7bp=450C,Ir=hr.Kea=OV0.3nm带宽NRZBWM1Op,Fa0.6V35PAM440一(JHZ5.2 芯片材料芯片应使用磷化锢系列材料。5.3表面质量芯片表面应无明显划痕，无沾污，无裂纹，边角完整。

11、5.4 芯片尺寸芯片尺寸应根据具体应用在产品设计文件中进行规定。其长度公差应不超过20m,宽度公差应不超过20m,厚度公差应不超过15m.5.5 剪切力和金丝键合强度剪切力应符合GB/T337682017中5.4.5的规定，金丝键合强度应符合GB/T337682017中5.4.7的规定。5.6 ESDS试验要求ESDS电压不低于500Ve5.7 高温贮存按6.5.1进行。试验前后25oC下的输出功率变化的绝对值不超过IdB。对于波分应用下的芯片,其试验前后的波长要符合表A.4的规定。5.8 低温贮存按6.5.2进行，试验前后25oC下的输出功率变化的绝对值不超过1曲。对于波分应用下的芯片，其试

12、验前后的波长要符合表A.4的规定。5.9 温度循环按6.5.3进行，试验前后25oC下的输出功率变化的绝对值不超过1曲。对于波分应用下的芯片,其试验前后的波长要符合表.4的规定。5.10 恒定湿热按6.5.4进行，试验前后25C下的输出功率变化的绝对值不超过IdB。对于波分应用下的芯片，其试验前后的波长要符合表A.4的规定。5.11 高温寿命按6.5.5进行，试验前后250C下的阈值电流变化率的不超过50%,见公式（1）。对于波分应用下的芯片，其试验前后的波长要符合表A.4的规定。M=QriIrIriIb）n.M,（1）式中：Ithc试验前后的阈值电流变化率；Ithf试验后的阈值电流；Ithh试验前的阈值电流。5.12 恒定湿热（工作）按6.5.6进行，试验前后的25下的输出功率变化的绝对值