《模拟电子技术》课程思政素材 5.科技资讯：鳍式场效应管诞生记.docx

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1、鳍式场效应管诞生记芯片技术一直遵循摩尔定律飞速发展，摩尔定律指出，由于晶体管的尺寸不断缩小，芯片上晶体管的数量大约每两年就会翻一番。然而地平线似乎不再无限。的确，这是第一次，整个半导体行业都在悄然预言摩尔定律的终结。当一个关键晶体管的尺寸从350纳米缩小到不足100纳米时,这就暗示了黄金时代将结束。就连美国政府也忧心忡忡一一美国国防部高级研究计划局（DARPA）为此拉响了警报，并启动了一项寻找新芯片技术的计划。当时就职于加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学的胡正明教授欣然接受了这一挑战。他立即想到了一个方案，并在几天后乘坐飞机的途中做出设计草图。其中一个想法是，升高电流流过的通道，使其凸出芯

2、片表面，成为鳍式场效应晶体管（FinFET）o该技术为他赢得了2023年的IEEE荣誉勋章，他“在半导体模型开发和应用方面成就卓越，特别是3D结构设计，使摩尔定律又延续了几十年。”IEEE荣誉勋章评审委员会称：摩尔定律推动了半导体行业的惊人发展，从而改变了世界。但是很明显，器件极限将终结器件尺寸的不断缩小。胡正明革命性的3D晶体管结构FinFET克服了这些极限障碍，取代了在过去的五十年中一直在工业上使用的CMOS晶体管。他的用于电路设计的BSIM晶体管模型已成为行业标准，并且他的BERT可靠性仿真工具具有非常先进的器件和电路可靠性。“它的发展将逐渐放缓,但100年内我们很难找到MOS半导体的替代品胡正明说。但这并没有让他感到悲观。“改进电路密度、功耗和速度的方法有很多，我们可以期待半导体行业不断地给人们提供越来越多有用、方便和便携的设备。我们要有更多的创造力和足够的信心。”（备注：本信息摘录于其他平台，目的在于传递更多信息。若有侵权或异议请联系我们）