《模拟电子技术》课程思政素材汇总 2.科技资讯：中国电子技术的发展历程---37.企业案例：“剪了三刀线束”的事例.docx

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1、中国电子技术的发展历程人类在与自然界斗争的过程中，不断总结和丰富着自己的知识，电子技术就是在生产斗争和科学实验中发展起来的。电子技术作为一门新兴科学，其发展至今不过一百余年。1904年，电子管在英国问世。1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，开创了半导体时代。1958年第1块集成电路面世，1969年大规模集成电路和1975年超大规模集成电路的出现，为现代数字系统的发展奠定了坚实的基础。至今，超大规模集成电路实现了在几十平方毫米的芯片上有上百万个元器件，在推动电子信息技术进一步发展的同时，也开始和传统产业相结合，开启了“微电子”时代的大幕，极大地改变了人类社会。1956是中国科学

2、技术发展史上的关键一年，党中央提出了“向科学进军”的号召，周恩来总理亲自主持制定了发展各门尖端科学的“十二年科学技术发展远景规划”，把半导体、计算机、自动化和电子学这4个在国际上发展迅速而国内急需发展的高新技术列为4大紧急措施。根据国外发展电子器件的进程，在“重点发展、迎头赶上”和“以任务带学科”的方针指引下，明确了中国也要研究发展半导体科学，从半导体材料开始，自力更生研究半导体器件。从此，我国半导体事业从无到有，有了长足的进展：1956年11月，中国第一只铝合金结晶体三极管诞生，开创了我国在多领域以半导体器件替代电子管以及以半导体器件开创新的科学领域的事业，吹响了“向科学进军”的号角。分立器

3、件的发展阶段（1956年到1963年）：1957年成功拉制出我国第一根错单晶，1958年成功研制我国第一只钻晶体管，1958年成功拉制我国第一根硅单晶并实现我国硅单晶的实用化，1963年制造出国产硅平面型晶体管。这些年间，中国的知识分子、技术人员在外界封锁的环境下，在海外回国的一批半导体学者带领下，凭借知识和实验室发展到实验性工厂和生产性工厂，开始建立起自己的半导体行业。IC初级发展阶段（1964年到1980年）：1964年中国科学院半导体研究所仿制成功我国第一块集成电路。此后，中国以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产品，举全国之力发展半导体科技。在一大批舍身忘我的半导体人的努力下

4、，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件。虽然建设没有停歇，但十年沉睡，很多人还在梦里，一切都没有做好准备。产业全面复苏时期（1978年到1990年）：1978年H一届三中全会，开启全国全面改革开放的进程，全国百废待兴，中国的集成电路产业得到全面的复苏，主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化。九零工程（1990年到2000年）：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务,集成电路行业取得了新的发展。产业大发展时期（2000年以后）：

5、2000年6月24日，国务院18号文件鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策公布，无疑是一阵春风，吹开了中国集成电路产业的万紫千红。一些著名的集成电路制造公司，纷纷落户中国大陆，集成电路设计得到极大地发展。2002年中国科学院计算技术研究所研制出我国首枚拥有自主知识产权的通用高性能微处理芯片一一“龙芯1号”。此后，在一系列国家政策的支持下，中国本土的集成电路产业，开始进入正轨道路。电子技术水准是现代化的一个重要标志，电子技术工业是实现现代化的重要物质技术基础。电子技术工业的发展速度和技术水平，特别是电子计算机的高度发展及其在生产领域中的广泛应用，直接影响到工业、农业、科学技术和国防建设，关系

6、着社会主义建设的发展速度和国家的安危；也直接影响到亿万人民的物质、文化生活，关系着广大群众的切身利益。（备注：本信息摘录于其他平台，目的在于传递更多信息。若有侵权或异议请联系我们）二极管伏安特性中的量变与质变由二极管的伏安特性可知，当二极管外加的正向电压小于开启电压时，二极管工作在“死区”，正向电流是几乎为零。当外加正向电压高于开启电压时二极管才实现正向导，这就说明一个量变引起质变的关系，死区内的正向电压变化是一个量变的过程，但一定的量变后当正向电压突破开启电压后就产生了质变，从而达到正向导通的性能。当二极管外加反向电压时也会有一个量变引起质变的过程，当二极管在反向工作区时其反向电流很小，工作

7、状态是反向截止，而当外加反向电压绝对值大于反向击穿电压值时，二极管会进入反向击穿区，流过二极管的反向电流会激增。这正如一个人成功前都有一段默默无闻的奋斗时期，克服了这段时期，就可以获得量变到质变的跳跃，正如二极管迅速导通一样，因此大家要尊重事物规律并利用其规律。绿色照明，可持续发展现在谈起“节能、环保、长寿命”的灯具，人们自然而然会想起1ED灯。事实上，1ED灯在我国的大流行也不过就是近十年的事情。在进入21世纪以后，面对1ED产业的巨大商机和令人鼓舞的发展前景，世界各国围绕1ED的研制展开了激烈的技术竞赛，投入巨资相继推出半导体照明计划：美国从2000年起投资5亿美元实施“国家半导体照明计划

8、”，欧盟于2000年7月宣布启动类似的“彩虹计划”，韩国“GaN半导体开发计划”从2000年至2008年，由政府投入4.72亿美元，企业投入7.36亿美元进行。中国科技部在“863”计划的支持下，2003年6月份首次提出发展半导体照明计划，之后中国的1ED产业快速发展，覆盖包括外延、芯片、封装、应用产品等上下游产业链，“一头沉”的状态逐步发生改变，中国1ED上游产业得到了较快的发展，其中芯片产业发展最引人注目。尽管如此，1ED照明技术的核心专利基本都被外国几大公司控制，如日本的日亚、丰田合成、东芝，美国PhiIiPS1umi1edsCree,德国的OSra1n等，这些公司利用各自核心专利，采取

9、横向和纵向扩展方式，在全世界范围内布置了严密的专利网，也造就了中国企业后续发展的专利危机。在全球大力推动节能减排、积极应对气候变化的形势下，“十一五”期间，中国提出了单位GDP能耗降低20%,主要污染物排放减少10%的约束性目标。与此同时，很多国家纷纷出台淘汰白炽灯路线图，随后中国也逐步加快淘汰低效照明产品步伐。截至2011年11月止，中国已建立了较完善的高耗能产品淘汰和节能产品推广政策体系，包括发布高耗能产品淘汰目录、实施能效标准标识、推行政府强制采购、开展政府财政补贴等措施。2018年10月，中国科学院将钙钛矿发光二极管（1ED）外量子效率提高到20.7%,对比国际同行水平提高到近一半。由

10、于钙钛矿1ED兼具无机1ED和有机发光二极管O1ED的优势，其能耗低、亮度高，容易制成超大面积的器件，在电视、智能手机、大尺寸户外显示屏、汽车与住宅照明等领域有着广阔的应用前景。以1ED为代表的高效照明节能方案已经获得了越来越多的政府和终端用户的认可，并能有效的节能和控制光污染，为创建一个可持续化的和谐国家贡献力量。（备注：本信息摘录于其他平台，目的在于传递更多信息。若有侵权或异议请联系我们）鳍式场效应管诞生记芯片技术一直遵循摩尔定律飞速发展，摩尔定律指出，由于晶体管的尺寸不断缩小，芯片上晶体管的数量大约每两年就会翻一番。然而地平线似乎不再无限。的确，这是第一次，整个半导体行业都在悄然预言摩尔

11、定律的终结。当一个关键晶体管的尺寸从350纳米缩小到不足IOO纳米时,这就暗示了黄金时代将结束。就连美国政府也忧心忡忡一一美国国防部高级研究计划局（DARPA）为此拉响了警报，并启动了一项寻找新芯片技术的计划。当时就职于加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学的胡正明教授欣然接受了这一挑战。他立即想到了一个方案，并在几天后乘坐飞机的途中做出设计草图。其中一个想法是，升高电流流过的通道，使其凸出芯片表面，成为鳍式场效应晶体管（FinFET）O该技术为他赢得了2023年的IEEE荣誉勋章，他“在半导体模型开发和应用方面成就卓越，特别是3D结构设计，使摩尔定律又延续了几十年。”IEEE荣誉勋章评审委员

12、会称：摩尔定律推动了半导体行业的惊人发展，从而改变了世界。但是很明显，器件极限将终结器件尺寸的不断缩小。胡正明革命性的3D晶体管结构FinFET克服了这些极限障碍，取代了在过去的五十年中一直在工业上使用的CMoS晶体管。他的用于电路设计的BSIM晶体管模型己成为行业标准，并且他的BERT可靠性仿真工具具有非常先进的器件和电路可靠性。“它的发展将逐渐放缓,但100年内我们很难找到MOS半导体的替代品。”胡正明说。但这并没有让他感到悲观。“改进电路密度、功耗和速度的方法有很多，我们可以期待半导体行业不断地给人们提供越来越多有用、方便和便携的设备。我们要有更多的创造力和足够的信心。”（备注：本信息摘

13、录于其他平台，目的在于传递更多信息。若有侵权或异议请联系我们）小组合作，团结友善在进行实验操作时，可以采用小组合作的方式进行。小组成员明确各自分工、各取所长并且相互配合，在实验中遇到问题和故障时优先考虑组内成员自行解决，小组成员在此过程中互相尊重、互相关心、互相帮助，和睦友好，团结合作，不断磨合，从而形成友善的同学关系，为以后迈入社会走上工作岗位奠定基础。友善是人与人之间建立社会关系的基础，也是社会和谐发展的基石。严守质量禁令，打造高质产品品质驱动时代，产品质量是企业的自尊心。播种作业行为，收获产品质量。高品质产品的打造，源于作业人员良好作业习惯的养成。习惯对于人的影响是深远的，好的习惯可以提

14、高工作效率，打造出高品质的产品。企业全体员工在作业时需严格按照工艺和质量管控要求作业，杜绝不良作业行为，养成良好的作业习惯。企业生产十大质量禁令序号条目详细内容1禁令严禁凭经验、不按照图纸及文件作业解读1、指在生产、检查产品时不按图纸、调试大纲、作业文件或检查文件作业的不良质量行为：2、指没有作业指导书的产品以图纸为准的不良质量行为；3、指未按改造方案/作业指导书完成改造的不良质量行为。可能造成的后果产品装错或漏检2禁令严禁作业前不确认物料型号（图号）和外观。解读指产品部在装配物料或部件之前不按作业指导书或图纸确认部件（模块、机箱等）图号、型号等信息，并且不对外观进行简单的目视检查，将外观如已

15、开裂、严重划痕的部件装上产品的不良质量行为。可能造成的后果物料使用错误，造成返工或出现质量问题3禁令严禁使用计量过期或不匹配的工具、仪器作业解读指使用计量过期或不匹配的工具、仪器作业时，可能造成操作或测量误差的不良质量行为。可能造成的后果操作不符合工艺要求，检验结果不正确4禁令严禁将工具或多余物料放置在产品内或线束上解读1、指柜内、柜顶直接摆放工具、物料的不良质量行为；2、指将调试仪器仪表、工具放置到产品内部的不良质量行为。可能造成的后果异物遗落在产品内部，可能随产品出厂，造成质量隐患5禁令严禁紧固作业时手中持握多余螺栓解读指使用紧固工具正在紧固作业时,手里握持多余螺栓的不良质量行为。可能造成的后果多余螺栓可能滑落在产品内，造成质量隐患6严禁手工焊锡过程中甩锡解读指手工焊接过程中甩电烙铁的不良质量行为。可能造成的后果产品或人员被烫伤，或引起短路7禁令严禁划防松标识时不确认螺栓紧固到位解读指不确认螺栓是否紧固到位，直接划防松标识，造成有紧固标识的螺栓未紧固的不良质量行为。可能造成的后果不合格产品流出8禁令严禁电源上电时，不确认电压值、电流值解读指产品通电前不确认电压值设置是否与大纲相符的不良质量行为。可能造成的后果可能造成元器件或产品烧坏9禁令严禁相似物料、不同状态产品混放解读1、指将相似物料无区分地摆放在起的不良质量行为；相