浙大杭州国际科创中心专利导航助力科技成果转化.docx

《浙大杭州国际科创中心专利导航助力科技成果转化.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《浙大杭州国际科创中心专利导航助力科技成果转化.docx（3页珍藏版）》请在第一文库网上搜索。

1、浙大杭州国际科创中心专利导航助力科技成果转化C加，杭州国际创中心一、工作背景专利导航报告是一项完成周期长、参与人数多、缺少评价标准的系统工程，也是对专利情报运营的最好体现。因此,开展专利导航时，既要彰显专利导航的“广度”，又要注重专利导航的“深度”，方可使科研人员的专利技术需求通过专利导航展现出来，逐步实现专利布局和科技成果转化。SiC晶体的生长是实现SiC晶体应用的重要基础。SiC晶体生长的发展离不开产业的规划和相关政策的引导。当前,国际上第三代半导体材料、器件已实现了从研发到规模性量产的成功跨越，并进入产业化快速发展阶段。未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期，第三代半导体更是我国“十三

2、五”时期的重点布局方向，产业化核心技术取得突破、产业布局较为全面、市场应用逐步开启，自主可控能力逐渐增强,整体竞争力不断提升。二、工作内容全球碳化硅晶体生长技术领域原创专利申请量排名前五的国家依次为日本、中国、韩国、美国、德国；其中，日本以706项原创申请遥遥领先于其他国家与地区，其总量略高于中国（第二）和韩国（第三）之和，可见日本在碳化硅晶体生长领域占有绝对的技术优势；中国原创申请量排名第二，共计451项，仅落后于日本，领先于韩国、美国、德国。从竞争对手进行分析，山东天岳从2012年开始布局碳化硅晶体生长专利，2018年的年申请量最大值为34项，累计共申请83项碳化硅晶体生长专利。昭和电工在

3、碳化硅晶体生长领域的技术主题分布，从中可以得出昭和电工的专利布局中装置设备、工艺方向专利申请量相当，并且装置设备方向中年埸结构的比例最高，工艺方向中侧重高质量。结合碳化硅晶体生长相关技术专利导航报告中提出的专利挖掘和布局建议，就大尺寸SiC晶体生长方法、生长装置等方面专利布局较少，在专利布局方面，我国在国外布局的SiC专利较少等建议，浙大科创中心进行科学研究，目前已形成国内专利16件，未来将通过PCT形式开展国际专利布局。三、取得成效本专利导航项目结题后，分别从碳化硅晶体生长、装置及产品方面进行专利布局，不断健全碳化硅晶体生长相关技术专利包，进一步提高我国在碳化硅晶体生长技术的核心竞争力。浙大

4、科创中心基于“专利导航+专利布局+成果转化”的知识产权保护与运营理念，以市场化需求为导向进行科研选题立项、科技成果保护与落地实施转化。目前，浙大科创中心5件碳化硅相关技术专利与杭州乾晶半导体有限公司通过作价入股形式开展科技成果转化，用于研发碳化硅新产品，已成功研发6英寸碳化硅晶锭。目前该公司已完成亿元融资，公司估值3亿元。碳化硅相关研发和产业化正加速推进，力争在三到五年打造成为国际知名的第三代半导体材料品牌和标杆企业。四、经验启示浙大科创中心率先通过对碳化硅开展“专利导航+专利布局+成果转化的科技成果培育、保护和转化模式，并成功孵化一家公司对碳化硅相关技术进行产业化实施，产生了较好的经济效益，为浙大科创中心其余内设机构形成了良好的科技成果转化示范效应，随后浙大科创专利分别就功率芯片、封装测试、钠离子电池等领域开展该模式的专利导航，布局相关专利50余项，并针对性开展科技成果转化工作，逐步探索出浙大科创中心的科技成果转化新生态。