光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第2部分光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片_SJT 11856.2-2022.docx

《光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第2部分光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片_SJT 11856.2-2022.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第2部分光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片_SJT 11856.2-2022.docx（14页珍藏版）》请在第一文库网上搜索。

1、ICS33.180CCSM33中华人民共和国电子行业标准SJ/T11856.22023光纤通信用半导体激光器芯片技术规范第2部分:光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片Specificationforsemiconductor1aserchipusedinoptica1fibercommunicationPart2：Vertica1cavitysurfaceemittingdiode1aserchip2023-10-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布前言III引言IV规范性引用文件12术语和定义缩略语技术要求5.15.25.35.45.55.65.75.85.95.105.115.12E工

2、作）检验分类筛选.测试测试仪光电特也物理特性环境适应性光电特性芯片材相表面J芯片检验方6.16.26.36.46.5检验规则7.17.21222344444444444445666667.3 出厂检验77.4 型式检验78包装、标志、产品说明书和贮存91.1 1包装91.2 标志91.3 产品说明书91.4 贮存9I-1-刖百本文件按照GB/T1.12023标准化工作导则笫1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件是SJ/T11856光纤通信用半导体激光器芯片技术规范的第2部分.请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由工业和信息化部电子工业标

3、准化研究院归口.本文件起草单位：武汉光迅科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、江苏亨通光电股份有I11光纤通信用半导体激光器芯片作为光通信模块的核心、基础组成部分，为光通信产业规模化发展和产业运行安全提供重要保障。开展光通信芯片的标准制定工作，统一和规范光纤通信用半导体激光器芯片的关键参数,有利于推动我国光通信相关产业链规范化发展,及时满足光通信网络快速规模部署需求。SOT11856旨在规范光纤通信用半导体激光器芯片的术语和定义、缩略语、技术要求、可靠性要求、测量和试验方法、检验规则、包装、标志、产品说明书和贮存等。由于不同芯片的应用场景，工作机理和技术参数等存在较大差异，因此制定本系列

4、标准，拟由五个部分构成。 第1部分：光源用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片。 第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片。 第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片。 第4部分：光源用布拉格反射器可调谐半导体激光器芯片。 第5部分：单模泵浦半导体激光器芯片。光纤通信用半导体激光器芯片技术规范第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片1范围本文件规定了光纤通信用垂直腔面发射型半导体激光器芯片(以下简称“芯片”)的术语和定义、缩略语、技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、产品说明书和贮存等。本文件适用于IoGbaUd(NRZ)25Gbaud(NRZ)和25GbaUd(P

5、AM4)垂直腔面发射型激光甥芯片。3.4相对强度噪声re1ativeintensitynoise功率波动的单边频率谱密度,归化为基于频率的平均光功率平方的函数,符号为R/M见公式(1)。RJN=SPyIPJ(1)式中：P均方根强度噪声；Po平均光功率。4缩略语下列缩略语适用于本文件。AQ1接收质量限(AcceptanceQua1ity1imit)ESDS静电放电敏感度(E1eCtroStatiCDiSChargeSenSitiVity)1TPD批允许不合格品率(1OtTo1erancePercentDefective)NRZ非归零(NOnReturntoZero)PAM44电平脉冲幅度调制(4

6、1eve1Pu1seAmp1itudeModu1ation)VCSE1垂直腔面发射激光器(VertiCa1CaVitySUrfhCeEmit1aSer)5技术要求5.1 光电特性5.1.1 绝对最大额定值芯片绝对最大额定值见表1表1绝对最大额定值参数名称符号单位最小值最大值反向电压VRV5正向电流ZfmA15工作温度Tamd085贮存温度-40-85,衬底温度.5.1.2 光电技术指标特性10GbaudVCSE1芯片的光电技术指标特性见表2.表2IOGbaUdVCSE1芯片光电技术指标参数符号检验条件最小值最大值单位阈值电流k251.4mA852.0m输出功率P25.Ah+5mA1.5一tnW

7、85,+5mA1mW斜率效率25,k+5mA0.3W85P,ih+5mA0.2W中心波长25,+5mA840860nm85,+5mA840860nm均方根谱宽(RMS)cms25,*+5mA0.45nm85,+5mA0.45nm正向电压Vf25,+5mA2.3V相对强度噪声RIN25,+5mA-128dB/Hz带宽(NRZ)BW25,(f=*+6mA9GHz85/=h+6m8GHz25GbaudVCSE1芯片光电技术指标特性见表3。表325GbaudVCSE1芯片光电技术指标参数符号检验条件最小值最大值单位阈值电流4251.2mA852.0mA输出功率P25,W5mA1.5mW85,Ah+5m

8、A1mW斜率效率25,Ah+5m0.3W/A85,Ah+5m0.2W/A中心波长c25,*,+5m840860nm85,Ah+5mA840860nm均方根谱宽(RMS)Ans25,1+5mA0.45nm85,+5mA0.45nm正向电压VF25oC,+5mA2.5V相对强度噪声RTN25,W5tnA128dB/Hz带宽NRZBW25oC,Tf=T+6mA16GHzPAM418GHzNRZ85,If=-*6mA15GHzPM417GHz5.2芯片材料芯片应使用神化铉系列材料。5 .3表面质量芯片表面应无明显划痕，无沾污，无裂纹，边角完整。6 .4芯片尺寸芯片尺寸应根据具体应用在产品设计文件中进行

9、规定。其长度公差应不超过20m,宽度公差应不超过20m,厚度公差应不超过15mo5剪切力和金丝键合强度剪切力应符合GB“337682017中5.4.5的规定，金丝键合强度应符合GB337682017中6.1 4.7的规定。6.2 测试环境条件测试环境条件如下：温度：15oC-35oC;相对湿度：45%75%；大气压力：86kPa106kPa。当不能在上述条件下进行测试时，应在测试报告上写明测试环境条件。6.3 测试仪器要求测试所用的仪器仪表应在规定的有效校准期内，如无特殊说明，其精度应优于所测参数精度至少一个数量级。6.4 光电特性6.3.1阈值电流按GB/T313592015的5.9进行测量

10、。6.3.2斜率效率按GB/T313592015的5.10进行测量。6.3.3中心波长按GB/T313592015的5.15进行测量。6.3.4均方根谱宽按SOT2749-2016的5.11进行测量。6.3.5正向电压按GB/T313592015的5.8进行测量。6.3.6调制带宽6.3.6.1测试框图测试框图见图2。将测样IyI测试平台光衰减罂接收机光接收机网络分析仪电压源1. 带宽的测试框图6. 3.6.2测量步骤测试步骤如下：a）按图2中测试框图配置，连接好线路；b）先设置扫频仪的起始频率和终止频率；同样地，设置网络分析仪的起始频率和终止频率，其终止频率应设置比所测带宽高；c）被测激光器

11、输出端接入光接收机；d）将扫频仪输出的信号接入被测激光器输入端，调制激光器，是激光器输出扫频光信号；e）将光接收机的输出端接入网络分析仪，观察网络分析仪扫描出的频响曲线，取低频点增益下降3dB处，即可读出被测激光器的带宽。7. 3.7相对强度噪声按照SJZT2749-2016的5.16进行测量。8. 3.8输出光功率按GB/T31359-2015的5.1进行测量。6.4物理特性6.4.1表面质量在100倍显微镜下目视观察。6.4.2芯片尺寸按GB/T337682017中5.1.2的规定进行。6.4.3金丝键合强度按GBZT337682017中5.4.7的规定进行。6.4.4芯片剪切力按GB/T

12、337682017中5.16.4.5ESDS按GB/T33768-J6.5环境适应性6.5.1高温储;按GB/T6.5.2低雕20176.5.3温按GB1-20176.5.4恒本320176.5.5高温*翁按GB/T中5.3.6的规定进行。6.5.6恒定湿限工俗按GB/T3376821遨行。一97检验规则7.1检验分类检验分为筛选、出厂检验和型式检验。7.2筛选在提交抽样检验和型式检验前，全部芯片应100%按表5列出的项目、顺序和要求进行筛选。不符合要求的产品应剔除。当筛选后合格的样品少于90%时，可进行再次筛选，当二次筛选后合格的样品仍少于90%时，该批芯片进行报废处理。表4常规检验筛选项目

13、要求检验方法高温寿命5.126.5.5,最高工作温度，最大工作电流，不少于24h光电特性5.2.2在5.2.2规定的25P和高温条件下按5.2.2测试除带宽外光电特性”表面质量5.56.4.1低温测试根据应用需求进行.7.3出厂检验9. 3.1检验项目出厂检验应符合表5规定。表5出厂检验试验项目要求检验方法AQ1芯片尺寸5.46.4.21.5表面质量5.56.4.11.5光电特性5.2.26.30.4剪切力5.76.4.41.5金丝键合强度5.76.4.31.57.3.2检验批一个检验批应由同时提交检验的若干相同型号的芯片产品组成,这些芯片产品应是在同一连续生产期内（例如3周或1月，可参考同一外延片的芯片生