2017年我国功率半导体产业综合发展情况图文分析.docx

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1、2017年我国功率半导体产业综合发展情况图文分析(2017.5.23)一、功率半导体市场回暖，大功率/宽禁带器件展现高成长性功率半导体器件(Power Semiconductor Device)又称电力电子器件(PowerElectronic Device),主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能(功率)处理的核心器件，弱电控制与强电运行间的桥梁。典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理，除保证设备正常运行以外，功率器件还起到有效的节能作用。功率器件几乎用于所有的电子制造业。目前功率半导体的应用范围已从传统的工业控制和4C产业(计算机、通信、消费类电子产品和汽车)，

2、扩展到新能源、轨道交通、智能电网等新领域。小功率范围(儿W到几kW)，多用于如笔记本电脑、冰箱、洗衣机、空调等各种家电、服务器等设备的开关电源，提升电能利用效率；中功率范围(l()kW到几MW),多用于电气传动、新能源发电等，如用于新能源汽车(EV/HEV),提高单次充电续航里程；用于太阳能的PV(光伏)逆变器，提高电源的转换效率；用于重型工业设备的高频电源转换器，带来大功率、高频率的优势；大功率范围(高达儿GW),多用于高压直流(HVDC)输电系统等。功率半导体器件应用领域中国占据全球功率器件40%市场份额，多领域应用持续支撑需求上涨整体来看，近年来由于工业控制、家电产品、充电设备等终端应用

3、不断追求更高能源效率,功率器件下游产品范围的稳步扩张、产量的大幅增长以及功率器件技术的快速更新，功率器件市场在全球范围尤其是中国地区都保持稳步增长。近五年来，中国功率半导体器件市场复合增长率达27.8%,是半导体产品中市场发展相对较快的产品。全球功率半导体市场规模2014年中国占据功率器件市场40%份额市场回暖，大功率器件/IGBT模组及SiC/GaN宽禁带器件最具成长性。历经2015年短暂下调后，2016年全球功率半导体市场重新将回升至124亿美元。在各类功率元件中，最具成长性的产品是高压MOSFET (超过200V)与IGBT模组，两类产品在20152020年期间的复合年成长率(CAGR)

4、预估分别为4.7%与4.0%。随着愈来愈多供应商推出产品，2015年碳化硅(SiC)功率半导体平均销售价格已明显下滑，有望刺激市场加速采用；与此同时，氮化铉(GaN)功率半导体也已开始进入市场，预估全球SiC与GaN功率半导体产值,将由2015年的2. 1亿美元，快速成长至2020年的10多亿美元，并将于2025年达到37亿美元。2014-2020年功率器件增长趋势emoom 8 S2OO1 1 1市场蝮搐(匕美元)1 2kVT fKV中压+41”69,?OUC|?0204的/配电设各带动即高压功麻髭仔增长发电那专枭用卬做血本B件400 900V低压?kV3 3kVAE74”63 3kV超高压

5、全球SiC+GaN功率半导体产值预测二、产业与节能政策双发力,大陆功率半导体迎来最佳发展机遇1、迈入制造强国，中国IC产业未来发展势头强劲2015年5月，国务院发布中国制造2025重点领域技术路线图，预计至2030年，中国集成电路市场规模占全球的比例将达到43. 35%45.64%,中国将成为世界最大的IC产业链设计、制造基地,在诸多优势领域达到世界先进水平。其中提到大力推动电力装备这一重点领域的突破发展，包括对大功率电力电子器件这一关键元器件的开发。中国制造2025的核心在于自动化、智能化、新能源、高能效以及资源的有效利用，明确提出将先进轨道交通装备、电力设备、节能与新能源汽车、海洋工程装备

6、、航空航天装备等列为突破发展的重点领域。鉴于功率半导体在发电、输配电和电力使用等整个电能供应链中发挥了全方位的关键作用，中国制造2025将为功率控制市场带来强劲的增长驱动力，预期增长势头将延续至2025年。国务院发布中国制造2025明确集成电路发展规划2020年 少2025年2030隼规模2920-3280 亿* 七CAGR 力 4、840-1180CAGR12水占比 28.76V35.98% 328QYOOO亿支七 CAGR向 4V 1180-1734 亿部 CAGR为外 队占比 35.98V43.35、 4000T375亿4之 CAGR* 3V 1734-2445 CAGR 为 3.外 余

7、址占比 4335V*45.64、2、产业与节能政策助力，有望实现自主创新、技术突破当前中国乃至全球范围内环境资源问题面临严峻考验，各国相继颁布节能减排政策，作为各种工业设施、消费电子、家用电器等设备电能控制欲转换的核心器件，功率半导体产业将面临新的技术挑战与发展机遇。全球节能减排趋势使功率半导体器件面临新挑战作为半导体产业与节能减排政策落地实施的契合点，功率半导体产业受益于国家重点支持，有望在十三五期间实现从“材料-晶圆-封装-器件-应用”的全产亚链自主技术突破，尤其是在新能源领域广泛应用的MOS器件及IGBT模组，以及SiC/GaN等新型材料器件的应用方面。立也3* *，或电外户北货改金f

8、ARHfi四/什刖0时装队ES-也8IWL伍都发6 （1业节触骨R办法） 1 X J 殖：二LIE侵ttna*. H4金能海利用筑率，近年来功率半导体行业相关国家政策支持倡总产也髭电2014 年 9201咛 3,20战”仆，一。鹏及前.大力发展新21用除分立”力发助李泳分直的N&R办公打出0电了佑息产北M整他可我M 假求E快电了兄抬壮产丛L靖怎发布斑产业找展檀世忸叠.取国家嫉*依黑虎电路尸9发”的独爆.条快企戴的有1?体的/il.kq.犬融A4川“名h过F发”。向lo FRDTM攵施厂的斯T电电fE片却的产化.中力“决？。口，认卞，。代植东.但M“i忖/计可喜忖r”f.以Q比*.H伎.衣南火化存面纱星介鱼攵”化.和试等I ZJi”.巩昌产丛/次