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1、电力系统自动化电子技术基础试题(卷)一、填空题:1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为钮,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向二g,有利于少子
2、的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由巳向&区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由2向巳区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空回电莅区,其方向由N区指向已区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的建移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的邺I1档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阳极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调
3、换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。其导电沟道分有此沟道和巳沟道。7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反应面空区。8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。二、判断正误:1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。O3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档RX1OK档位。(错)4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。(PN结反向偏置时,其内外电场方向一致)(错)5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放
4、大能力。(错)三、选择题:1 .在杂质半导体中,少子浓度主要取决于(C)A.掺入杂质的浓度B.材料C.温度2 .测得某PNP型三极管各极点位为:UB=3V,UE=-4V,UC=6V,则该管工作于(C).放大状态B.饱和状态C.截止状态3 .在基本共射放大电路中,若更换晶体管使B值由50变为100,则电路的放大倍数(C)A.约为原来的1/2倍B.约为原来的2倍C.基本不变4 .在OC1电路中,引起交越失真的原因是(B)A.输入信号过大B.晶体管输入特性的非线性C.电路中有电容5 .差动放大器中,用恒流源代替长尾Re是为了(C)A.提高差模电压增益B.提高共模输入电压范围C.提高共模抑制比6 .若
5、A+B=A+C,则(C)A.B=CB.B=CC.在A=O的条件下,B=C7 .同步计数器中的同步是指(C)A.各触发器同时输入信号B.各触发器状态同时改变C.各触发器受同一时钟脉冲的控制8 .由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是(B)A.饱和失真B.截止失真C.频率失真9 .对PN结施加反向电压时,参与导电的是(B).多数载流子B.少数载流子C.既有多数载流子又有少数载流子10 .当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量(A)A.增加B.减少C.不变四、综合分析计算设计题:1.画出下列电路的直流通路、交流通路、H参数微变等效电
6、路,并计算静态工作点、输入、输出电阻及电压增益。Vi解:(2)求静态工作点:Ub=VccR/(K曲)Ut=Ur-UtEIt=UR.1=IeI=I(3)输入电阻、输出电阻(4分)rk=30CH(1+)26mvIwRfUZIx=RiIIRI1OJJ工J=R1I1Rrbe+(1+)RJRo=R(4) Au=UoZUi=-(R1R)/rk+(1-3)RJ(2分)2.写出下图输出与输入的关系表达式:解:解:1)%R=TRr%艮Voi=-CRR-HRc)2) VR6=-%/R1V0=(R3Rr+RR)VR3.分析下列时序逻辑电路,写出状态方程、列状态转换真值表、画状态转换图。QQ2解:解:1)写驱动方程(2分)DF瓦D土豆2)写状态方程(3分)Q1尸D1=QJ(CPt)Q1fD:=Q瓶(Qm1)3)列赫转换真值表(3分)Q1Q1B01101111QzQ1aH0110110011014)画状区转换图(2分)OO10