《集成电路先进制造工艺技术》中级课程试题.docx

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1、集成电路先进制造工艺技术中级课程试题一、单选题(每题2分,共计30分)1、研发某一技术节点的技术,比如:研发65纳米逻辑工艺,哪一项不是研发阶段的内容?()A.撰写DRB.设计绘制TK1ayoutC.设计工艺流程FIOWD.定期随机抽取产品测试可靠性能,2、下列工艺优化(ProCeSSUming)的相关工作中哪一项不属于PIE(工艺整合工程师)的工作职责?()A.制订工艺流程(f1ow);B.制订工艺测量的标准值;C.修改设备中工艺菜单(recipe)的具体内容;(而?)D.分析工艺对应的电学参数(WAT)不达标的原因。3、下列关于器件特性的说法哪一项是错误的?()A. SRAM是挥发性存储器

2、,DRAM是非挥发性存储器;B. 3DNAND也是F1ASH闪存;C. DRAM基本存储单元是ITIC,其中T指晶体管,C指电容器;D.栅长越大,器件关态漏电越小;栅宽越小,器件开态电流越小。4浅槽隔离,SPsha11owtrenchiso1ation,简称ST1。引入它的目的是实现()A.有源区之间的绝缘隔离,B.有源区之间的连接C.无源区之间的导通D.无源区之间的隔离5、下列哪一项不属于CVD工艺()A.等离子化学气相淀积B.低压化学气相淀积C.电子束蒸发(D.常压化学气相淀积6、折射率是表征CVD薄膜的重要参数,对于氧化硅(1)、氮化硅(2)、多晶硅(3)折射率从大到小的排序是()A.1

3、2、3B.3、2、1(正确答案)C.2、1、3D.3、1、27、以下选项那些不属于干法刻蚀的优点()A各向同性)B良好的关键尺寸(CD)控制C最小的光刻胶脱落或粘附问题D良好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性8、原子层刻蚀(A1E)能实现高精度其最为重要的特征为()A.高刻蚀速率;B.刻蚀过程具有自限制的特点SC.高选择比;D.各向同性9、热氧化过程中消耗的硅占SiCh总体积的多少?()A.20%B.30%C.44%D.60%10、为什么要开发快速热退火工艺?()A.形成浅结B.消除悬挂键Ik简磁控溅射利用了什么原理提高了等离子体的电离效率?()A磁场中的洛伦磁力;(I-)B.电场中电场力;C.

4、磁场对电流的安培力;D.电荷之间静电作用力;12、SC1主要功能是去除颗粒,由哪些化学药液配比成的?()A.NH4OH,H2O2;B.NH4OH,H2O2,H2O;)C.HC1,H2O2,H2O;D.H2SO4,H2O213、SC2主要功能是去金属离子沾污,由哪些化学药液配比成的?()A.HF,H2O;B.NH4OH,H2O2,H2O;C.HC1,H2O2,H2O;D.H2SO4,H2O214、SPM主要功能是去有机物沾污,由哪些化学药液配比成的?()A.HF,H2O;B.NH4OH,H2O2,H2O;C:HC1,H2O2,H2O;D.H2SO4,H2O2;15、HF处理过的晶圆表面表现出什么

5、性质?()A.极性,疏水;B.极性,亲水;C.稳定,疏水;D.稳定,亲水二、多选题(每题3分,共计54分)1、DRC验证文件中常用基本运算有哪些?()A.AND;B.OR;C.NOT;D.INSIDE;E.OUTSIDE;F.INTERACT;G.SIZE;H.AREA;I.DENSITY2、以下选项哪些属于湿法刻蚀优点()A.选择性高;B.重复性好;C.生产效率高D.设备简单、成本低3、按原理来分类,干法刻蚀可以分为()A溅射与离子铳刻蚀;正硝仁与B.等离子刻蚀;C.反应离子刻蚀;D.聚焦离子束刻蚀4、下列哪些金属图形化用到干法刻蚀()A. A1;(i1:确答案)B. Ti;C. Cu;D.

6、 Ta5、AI刻蚀机内要完成哪些重要步骤()A.A1刻蚀图形化;B.干法去胶;(:由C.晶圆冷却;D.聚合物清洗6、在大规模IC的生产过程中,溅射法与蒸镀法相比有什么优点?()A.能在更大圆片上沉积厚度均匀的薄膜;B.能淀积合金材料薄膜,所形成的膜更接近原材料的成分比;C.淀积高熔点和难熔金属薄膜;D.能在溅射金属前,清除硅片表面沾污和自然氧化层(CIUSterToo1)7、在先进制程中铜互连为什么可以代替铝互连?()A铜的电阻率比铝低;正确答案)B.大马士结构和化学机械研磨技术的发明;C电镀可以实现小尺寸图形铜的填充;(正确冷案)D.Ta/TaN阻挡层很好的解决了铜扩散和黏附性的问题8、为什

7、么要用化学机械平坦化?()A.光刻工艺的保障(7和B.金属互连的需求F-)C.形成关键的器件结构9、CMP研磨部分重要的工艺材料分别是哪几种?()A.抛光液W)B.抛光垫C.滚刷D.抛光垫修整器10、CMP工艺后芯片内均匀性缺陷有哪些?()A.碟型凹陷dishingB.侵蚀型凹陷erosionC.划伤D,颗粒(正确答案)Ik工艺监控主要分为哪些方面?()A.量测;B.检测IC.分析D.切片12、光学法膜厚量测的薄膜需要具备什么特点()A.透明B.半透明C.不透明D.透光差13、以下哪种方法可以测试薄膜的应力?()A.曲率法B.悬臂梁法案)C干涉法(C至)D.衍射法14、集成电路电学测试主要包含

8、以下哪些环节?()A.CP测试B.FT测试C.WAT测试D.SIMS测试15、以下属于WAT测试主要参数的是什么?()A.击穿电压(正确答案)B.导通电流C.膜厚检测D.颗粒和缺陷检测16、WAT测试机台主要包含哪儿部分?()A.IV测试仪表(;)B.CV测试仪表IC.开关矩阵(正确答案)D.探针台17、数字标准单元库包含哪些基本单元?()A组合逻辑单元;(1确?孑案)B.时序逻辑单元;川1C.特殊单元(IH18、数字标准单元库中基准单元INVX1的设计要点是什么?()A.足够大的噪声容限;B.均衡的上升/下降时间;)C均衡的上升/下降延时C*案)三、简答题(每题4分,共计16分)1、研发某一技术节点的技术,比如:研发65纳米逻辑工艺,主要包括哪些研发内容?2、光刻的质量会直接影响到产品的性能,成品率和可靠性。光刻质量的具体要求有哪些?3、离子注入时,为了保证离子注入的对称性,可能会分多次注入,分四象限的注入叫做什么注入?每个象限注入的剂量是多少?4、请解释离子注入分选过程中的洛伦兹力及其特点.

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