《集成电路先进制造工艺技术》中级课程试题.docx

《《集成电路先进制造工艺技术》中级课程试题.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《《集成电路先进制造工艺技术》中级课程试题.docx（8页珍藏版）》请在第一文库网上搜索。

1、集成电路先进制造工艺技术中级课程试题一、单选题（每题2分，共计30分）1、研发某一技术节点的技术，比如:研发65纳米逻辑工艺，哪一项不是研发阶段的内容?（）A.撰写DRB.设计绘制TK1ayoutC.设计工艺流程FIOWD.定期随机抽取产品测试可靠性能，2、下列工艺优化（ProCeSSUming）的相关工作中哪一项不属于PIE（工艺整合工程师）的工作职责?（）A.制订工艺流程（f1ow）;B.制订工艺测量的标准值；C.修改设备中工艺菜单（recipe）的具体内容;（而？）D.分析工艺对应的电学参数（WAT）不达标的原因。3、下列关于器件特性的说法哪一项是错误的?（）A. SRAM是挥发性存储器

2、，DRAM是非挥发性存储器；B. 3DNAND也是F1ASH闪存；C. DRAM基本存储单元是ITIC,其中T指晶体管，C指电容器；D.栅长越大，器件关态漏电越小;栅宽越小，器件开态电流越小。4浅槽隔离，SPsha11owtrenchiso1ation,简称ST1。引入它的目的是实现（）A.有源区之间的绝缘隔离，B.有源区之间的连接C.无源区之间的导通D.无源区之间的隔离5、下列哪一项不属于CVD工艺（）A.等离子化学气相淀积B.低压化学气相淀积C.电子束蒸发（D.常压化学气相淀积6、折射率是表征CVD薄膜的重要参数，对于氧化硅（1）、氮化硅（2）、多晶硅（3）折射率从大到小的排序是（）A.1

3、2、3B.3、2、1（正确答案）C.2、1、3D.3、1、27、以下选项那些不属于干法刻蚀的优点（）A各向同性）B良好的关键尺寸（CD）控制C最小的光刻胶脱落或粘附问题D良好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性8、原子层刻蚀（A1E）能实现高精度其最为重要的特征为（）A.高刻蚀速率；B.刻蚀过程具有自限制的特点SC.高选择比；D.各向同性9、热氧化过程中消耗的硅占SiCh总体积的多少?（）A.20%B.30%C.44%D.60%10、为什么要开发快速热退火工艺？（）A.形成浅结B.消除悬挂键Ik简磁控溅射利用了什么原理提高了等离子体的电离效率?（）A磁场中的洛伦磁力;（I-）B.电场中电场力；C.

4、磁场对电流的安培力；D.电荷之间静电作用力；12、SC1主要功能是去除颗粒，由哪些化学药液配比成的?（）A.NH4OH,H2O2;B.NH4OH,H2O2,H2O;）C.HC1,H2O2,H2O;D.H2SO4,H2O213、SC2主要功能是去金属离子沾污，由哪些化学药液配比成的?（）A.HF,H2O;B.NH4OH,H2O2,H2O;C.HC1,H2O2,H2O;D.H2SO4,H2O214、SPM主要功能是去有机物沾污，由哪些化学药液配比成的?（）A.HF,H2O;B.NH4OH,H2O2,H2O;C:HC1,H2O2,H2O;D.H2SO4,H2O2;15、HF处理过的晶圆表面表现出什么

5、性质?（）A.极性，疏水;B.极性，亲水；C.稳定，疏水；D.稳定，亲水二、多选题（每题3分，共计54分）1、DRC验证文件中常用基本运算有哪些?（）A.AND;B.OR;C.NOT;D.INSIDE;E.OUTSIDE;F.INTERACT;G.SIZE;H.AREA;I.DENSITY2、以下选项哪些属于湿法刻蚀优点（）A.选择性高;B.重复性好;C.生产效率高D.设备简单、成本低3、按原理来分类，干法刻蚀可以分为（）A溅射与离子铳刻蚀;正硝仁与B.等离子刻蚀；C.反应离子刻蚀;D.聚焦离子束刻蚀4、下列哪些金属图形化用到干法刻蚀（）A. A1;（i1:确答案）B. Ti;C. Cu;D.

6、 Ta5、AI刻蚀机内要完成哪些重要步骤（）A.A1刻蚀图形化；B.干法去胶;（：由C.晶圆冷却；D.聚合物清洗6、在大规模IC的生产过程中，溅射法与蒸镀法相比有什么优点？（）A.能在更大圆片上沉积厚度均匀的薄膜；B.能淀积合金材料薄膜，所形成的膜更接近原材料的成分比；C.淀积高熔点和难熔金属薄膜；D.能在溅射金属前，清除硅片表面沾污和自然氧化层（CIUSterToo1）7、在先进制程中铜互连为什么可以代替铝互连？（）A铜的电阻率比铝低;正确答案）B.大马士结构和化学机械研磨技术的发明；C电镀可以实现小尺寸图形铜的填充;（正确冷案）D.Ta/TaN阻挡层很好的解决了铜扩散和黏附性的问题8、为什

7、么要用化学机械平坦化?（）A.光刻工艺的保障（7和B.金属互连的需求F-）C.形成关键的器件结构9、CMP研磨部分重要的工艺材料分别是哪几种？（）A.抛光液W）B.抛光垫C.滚刷D.抛光垫修整器10、CMP工艺后芯片内均匀性缺陷有哪些？（）A.碟型凹陷dishingB.侵蚀型凹陷erosionC.划伤D,颗粒（正确答案）Ik工艺监控主要分为哪些方面？（）A.量测；B.检测IC.分析D.切片12、光学法膜厚量测的薄膜需要具备什么特点（）A.透明B.半透明C.不透明D.透光差13、以下哪种方法可以测试薄膜的应力?（）A.曲率法B.悬臂梁法案）C干涉法（C至）D.衍射法14、集成电路电学测试主要包含

8、以下哪些环节?（）A.CP测试B.FT测试C.WAT测试D.SIMS测试15、以下属于WAT测试主要参数的是什么？（）A.击穿电压（正确答案）B.导通电流C.膜厚检测D.颗粒和缺陷检测16、WAT测试机台主要包含哪儿部分？（）A.IV测试仪表（；）B.CV测试仪表IC.开关矩阵（正确答案）D.探针台17、数字标准单元库包含哪些基本单元？（）A组合逻辑单元;（1确?孑案）B.时序逻辑单元;川1C.特殊单元（IH18、数字标准单元库中基准单元INVX1的设计要点是什么？（）A.足够大的噪声容限；B.均衡的上升/下降时间;）C均衡的上升/下降延时C*案）三、简答题（每题4分，共计16分）1、研发某一技术节点的技术，比如:研发65纳米逻辑工艺，主要包括哪些研发内容?2、光刻的质量会直接影响到产品的性能，成品率和可靠性。光刻质量的具体要求有哪些？3、离子注入时，为了保证离子注入的对称性，可能会分多次注入，分四象限的注入叫做什么注入?每个象限注入的剂量是多少？4、请解释离子注入分选过程中的洛伦兹力及其特点.