后摩智能首款RRAM大容量存储芯片完成测试验证.docx

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1、后摩智能首款RRAM大容量存储芯片完成测试验证近期，后摩皙能完成首款可商用的R幽测试及应用场景开发，探测及证实了现有工业级的RRAM的技术边界。后续将与车规级应用场景结合，希望与伙伴共同打造新兴存储及新型存算计算范式，赋能客户。目前，后摩智能该款RRAM翊1能够满足在高质量/高安全性要求的商用场景，更新版本可以实现对车规级应用的支持，尤其是车载娱乐系统、部分低等级车规要求，在工业电子类/消费电子类,其功能/性能能满足对eF1ash场景的替代，甚至能够改变原有计算架构，对只读/少读场景有较大的革命优势，尤其在亚22nm工艺之后，有望能够进一步成为高端芯片的嵌式存储器使用。在功耗性能方面，其整体功

2、耗低至60mW,支持PoWerdOWn模式，支持不同区域分别关断功能，支持S1eeP模式等，可以进一步在不同应用场景进行功耗控制。随着RRAM的成功研发及边界测试完成，后摩智能可进一步进行定制化的巨品设计以及赋能智能化应用场景，为客户提供先进非易失存储器，尤其是嵌入式的存储器的设计能力，逐步形成以0.5MB128MB范围的嵌入式存储器定制化服务，在此基础上提供不同容量的控制器解决方案、安全防护解决方案、产品定制化解决方案等。其中三种基础IP的性能简介如下：12MbRRAM16MbMR/CE11STRUCTURE1T1RBEo11T1RBEo1ENDURANCE104106ANA1OGIPRE-

3、USEYesYesPROGRAMSCHEME32*Word4*WordPROGRAMTIME200usword(max)120usword(average)16us/wordDATARETENTION10years8510years125POWERSUPP1Y0.8V/1.8-3.3V0.8V(10%)/2.6ACCESSTIME(withoutECC)30ns/Word14ns/WorcREDUNDANCYRepairRedundancy&Err(IPSIZE1.62mm21.96mm2关于RRAM：新兴阻变存储器RRAM具有CMOS兼容特性，其工艺简单，仅需两层额外的MASK就可以实现RA

4、M的性能和能力，并且相比于传统的工作存储器来说，具有快速读写速度、低功耗、高密度、非挥发性等多种优势。RRAM高密度的优势，在单元面积方面小于现有的静态随机存储器，并且其写入功耗仅为CF1ASH的百分之一，能够对未来场景进行赋能，尤其是CMOS28以下的嵌入式应用场景，其优势进一步扩大，长期以来受到了学术界及工业界的广泛关注。当前，RRAM己经能够在一些消费端及工业端得到应用，替代或者赋能己有的应用场景包括智能手表、智能耳机、便携设备以及自动驾驶等。尤其是在高端MCU中,国际巨头已经在先进工艺的MCU中进行先进嵌入式非易失存储器的布局。随着国内外巨头企业技术研发的跟进，先进工艺的RRAM和MRAM的应用落地进一步得到认可。后摩现有的RRAM及MRAM不仅满足消费、工业的要求，后续将与车规级应用场景结合，进一步将新兴非易失存储器应用到自身的核心业务中，希望与伙伴共同打造新兴存储及新型存算计算范式，赋能客户。审核刘清