模拟电子技术·随堂练习2020春华工答案.docx

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1、模拟电子技术第1章常用半导体器件1 .（单选题）N型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）oA.带负电B.带正电C.不带电答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：C问题解析：2 .（单选题）将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）oA.变窄B.变宽C.不变答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：B问题解析：3 .（单选题）二极管的死区电压随环境温度的升高而（）oA.增大B.不变C.减小答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：C问题解析：4 .（单选题）电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin必tV时，输出电压最大值为10V的电路是（）

2、。fc）份答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：C问题解析：5 .（单选题）电路如图所示,DI,D2均为理想二极管，设Ul=10V,ui=40sintV,则输出电压u应为（）oA.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为一40VrB.rC.rD.（已提交）D.最大值为10V,最小值为0V答题：rA.参考答案：D问题解析：6.（单选题）稳压管的动态电阻rZ是指（）oA.稳定电压/与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案

3、：B问题解析：7 .（单选题）在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：B问题解析：8 .（单选题）已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=77V,VB=-1.4V,VC=5V,A.NPN型铸管C.NPN型硅管则该管类型为（）oB.PNP型楮管D.PNP型硅管B.C.rD.（已提交）参考答案：A问题解析：第2章基本放大电路L（单选题）如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流（）oA.反向B.近似等于零C.不变D.增大答题：r

4、A.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：B问题解析：2.（单选题）晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）oA.发射结反偏，集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：C问题解析：3 .（单选题）晶体管的电流放大系数#是指（）。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：B问题解析：4 .（单选题）低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于（）。U川._a小26mV300+Cl+）-A.4B.30

5、0+26,vC.4答题：广A.rB.C.rD.（已提交）参考答案：B问题解析：5 .（单选题）某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在（）oA.截止状态B.放大状态C.饱和状态0+15V%答题：rA.rB.rC.rD.（己提交）参考答案：B问题解析：6 .（单选题）某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）oA.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：B问题解析：7 .（单选题）已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压%s约为（）o答题：

6、rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：C问题解析：8 .（单选题）已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V,UGS=0V处的跨导gm约为（）oA.1mA.VB.0.5m.VC.-1mA.VD.-0.5mA.V答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：A问题解析：9 .（单选题）如图示放大电路中接线有错误的元件是（）oA.RLB.RBC.ClD.C2答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：B问题解析：10 .（单选题）放大电路如图所示，由于RB1,和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是（）oA.适当增加RB2,减小RBIB.保

7、持RB1不变，适当增加RB2C.适当增加RB1,减小RB2D.保持RB2不变，适当减小RB1答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：C问题解析：11 .（单选题）图示电路，已知晶体管户=6。，忽略ube,如要将集电极电流IC调整到L5mA.,RB应取（）。A.480kW.120kWC.240kWD.360kW答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：A问题解析：12 .（单选题）电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC应等于（）oA.6VB.0VC.0.6VD.5.3V答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：A问题解析：13 .（单选题）某

8、固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q需使（）oA.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：C问题解析：14 .（单选题）单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的（）oc叱个，”媳代图1图2答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：A问题解析：15 .（单选题）对放大电路进行动态分析的主要任务是（）。A.确定静态工作点QB.确定集电结和发射结的偏置电压C.确定电压放大倍数区和输入，输出电阻ri,r0o答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：C问题解析：16 .（单选题）某一

9、固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示，其输入和输出电压波形如图2所示，造成这种失真的原因是（）oA.管子的产值太小B.电路电源电压口次太高c.偏置电阻品太小D.偏置电阻品太大4图1图2答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：C问题解析：17 .（单选题）如图所示的放大电路（）。A.不能稳定静态工作点。B.能稳定静态工作点，但比无二极管D的电路效果要差。C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：C问题解析：18 .（单选题）与共射单管放大电路相比，射极输出器电路的特点是（）。A.输入电阻高，输出电阻低B.输入电阻低，输出电阻高C

10、.输入，输出电阻都很高D.输入，输出电阻都很低答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：A问题解析：19 .（单选题）27场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压放大倍数（）A小于但近似等于1B.约几十倍C.为gm/答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：A问题解析：20 .（单选题）某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍,第二级的电压放大倍数为50倍,则该电路总电压放大倍数为（）。A.5000倍B.2500倍C.150倍D.1000倍答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：B问题解析：21

11、.（单选题）两级阻容耦合放大电路中，第一级的输出电阻是第二级的（）oA.输入电阻B.信号源内阻C.负载电阻答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：B问题解析：22 .（单选题）两级阻容耦合放大电路中，若改变第一级静态基极电流IB1,则（）oA.第二级的基极电流餐随之而改变B.第二级的静态值（%，2,%E2）均不改变C.第二级的静态电流餐不改变，但晶要改变答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：B问题解析：23.（单选题）直流放大器中的级间耦合通常采用（）A.阻容耦合（b）变压器耦合（c）直接耦合（d）电感抽头耦合答题：rA.rB.rC.rD.（已提交）参考答案：C问题解析：需要更多随堂及平时作业，在线考试的答案添加WeChatID:singl318520