数字电子技术教学课件作者王秀敏主编第11章存储器.docx

《数字电子技术教学课件作者王秀敏主编第11章存储器.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《数字电子技术教学课件作者王秀敏主编第11章存储器.docx（4页珍藏版）》请在第一文库网上搜索。

1、自测题1 .半导体存储器从存、取功能上可以分为只读存储器和随机存取存储器两大类。2 .RAM按所采用的存储单元工作原理的不同，可以分为静态存储器和动态存储器。3 .RoM的内部电路是由地址译码、存储矩阵、输入输出缓冲和存储器控制器组成。4 .动态MoS存储单元是利用MOS管栅极电容存储信息的,为了不丢失信号，必须定时地给栅极电容补充电荷。5 .半导体存储器中，ROM属于组合逻辑电路，而RAM可归属于时序逻辑电路。习题题111假设存储器的容量为256X8位，则地址代码应取几位。解：8题11.2使用8片1024X8位的RoM组成4KX16的存储器。解：题II.3使用ROM电路的阵列逻辑图实现余3码

2、转换成542IBCD码的码制转换电路。解：（1）根据题意，按码制转换的对应关系列出真值表WXYZB5B4B2B100110000010000010101001001100011011101001000100010011001101010101011101111001100（2）画出ROM点阵图题1I4使用4片2114（1024x4位的RAM）和3线-8线译码器741S138接成一个4KX4位的RAMo题11.5用RoM设计一个组合逻辑电路，用来产生下列一组逻辑函数：Yx=ABCD+ABCD+ABCD+ABCDY2=ABCD+ABCD+ABCD+ABCDy3=abd+bcdY4=BD-BD列出R

3、OM应有的数据表，画出存储矩阵的点阵图。解：由题中给定的逻辑函数知y=ACD+ABCP+ACD+ABCD=W0+W5+W10W15Y2=ABCD+ABCD+ABCD+ABCD=W2-VW1+Ws+Wi3Y3=BD+BCD=BCD+ABCD+ACD+ABCD=M+%+W1O+吗y4=bd+bd=abd+abd+abd+abd=ABCD+ABCD+ABCD+ABCD+ABCD+ABCDABCD+ABCD=+叱3+W7+吗+叱。+吗+%+叱）由此画出实现上述逻辑函数的逻辑图如下图所示。x=A8+BC+CQ+ZMY 2=1B+BC+CD+DAY 3=ABC+BCD+ABD+ACDY 4=ABC+BCD

4、+ABD+ACDY 5=ABCDY 6=ABCD列出ROM的数据表，画出电路的连接图，表明各输入变量与输出函数的接线端。%=吗+吗+吗+%+W+叱3+叫4+%5刃=%+叱+W2+W3+W4+W6+W3+Wg+W,2匕=吗+叱1+叱3+叱4+叱51=%+*+吗+叱+吗勾二%工=%将A、B、C、D四个输入变量与芯片八位地址线中的低四位地址相连，由该四位输入变量决定的地址空间中存放的八位数据中，低六位存放由A、B、C、D代为上式得到的Y丫6值，输出变量由芯片的低六位依次输出。电路实现如下：题11.7PROM实现的组合逻辑电路如题图PI1.8所示。图P11.8(1)分析电路功能，说明当XYZ为何种取值时，函数B=I,函数F2=1。(2)XYZ为何种取值时，函数Fi=O,函数Fz=Oo(1)由图可知，逻辑函数Fi、F2由PROM矩阵组成。因此输入和输出间的逻辑关系可直接写成与-或表达式。Fx=XYZ+XYZ+XYZ+XYZ.F2=XYZ+XYZ+XYZ+XYZ由上式看出：当XYZ=Oo0,001,100,101时，F1=I;当XYZ=O11101,110,I11时,F2=1o(2)从F1、F2的逻辑表达式中看出，当XYZ=O1O,100时,F1=F2=0