SDRAM与SRAM之间的区别.docx

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1、SDRAMSDRAM(SynchronousDynamicRandomAccessMemOry)同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。目前的168线64bi1带宽内存基本上都采用SDRAM芯片，工作电压3.3V电压，存取速度高达7.5ns,而EDO内存最快为15ns。并将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间,所以其传输速率比EDODRAM更快。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第

2、一代SDRSDRAM,第二彳弋DDRSDRAM,第三代DDR2SDRAM,第四彳弋DDR3SDRAM.第T弋与第二代SDRAM均采用单端(SingIe-Ended)时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。Sdrsdram的时钟频率就是数据存储的频率，第一代内存用时钟频率命名，如PCIOO,pc133则表明时钟信号为100或133MHz,数据读写速率也为100或133MHz0之后的第二，三，四代DDR(Doub1eDataRate)内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR代数的符号，PC-即DDR,PC2=DDR2,PC3=

3、DDR3o如PC2700是DDR333,其工作频率是333/2=166MHz,2700表示带宽为2.7G。DDR的读写频率从DDR200至IJDDR400,DDR2从DDR2-400到DDR2-800,DDR3从DDR3-8OO至UDDR3-1666。很多人将SDRAM错误的理解为第一代也就是SDRSDRAM,并且作为名词解释，皆属误导,SDR不等于SDRAMoPin:模组或芯片与外部电路电路连接用的金属引脚，而模组的pin就是常说的“金手指”。SIMM：Sig1eIn-1ineMemoryMOdUIe,单列内存模组。内存模组就是我们常说的内存条，所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列

4、引脚(虽然两侧都有金手指)。DIMM：Doub1eIn-1ineMemoryModu1e,双列内存模组。是我们常见的模组类型，所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚，模组电路板两侧的金手指对应一列引脚。RDIMM：FegisteredDIMM,带寄存器的双线内存模块So-DIMM:笔记本常用的内存模组。工作电压：SDR：3.3VDDR：2.5VDDR2：1.8VDDR3：1.5VSRAMSRAM是英文StatiCRAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路,每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的

5、数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一是固定在主板上的高速缓存(CaCheMemory)；二是插在卡槽上的CoAST(CaCheonAStiCk)扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片146818的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM,存储我们所设置的配置数据。还有一种是为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有

6、高速缓存，故在PentiUmCPU就有所谓的IJCache（一级高速缓存）和12Cache（二级高速缓存）的名词，一般11CaChe是内建在CPU的内部，12Cache是设计在CPU的外部，但是PentiumPro把11和12Cache同时设计在CPU的内部，故PentiUmPrO的体积较大。最新的PentiUmn又把12Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的动作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下：优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积

7、较大，而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。SRAM使用的系统：OCPU与主存之间的高速缓存OCPU内部的11/12或外部的12高速缓存OCPU外部扩充用的COAST高速缓存OCMOS146818芯片（RT&CMOSSRAM）SRAM与SDRAM的比较：SRAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；SDRAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用SDRAM,而高速缓冲存储器（CaChe）贝IJ使用SRAM,在存取速度上，SRAMSDRAMo另外，内存还应用于显卡、声卡及CMoS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。