三种调整处理器系统功耗的方法.docx

《三种调整处理器系统功耗的方法.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《三种调整处理器系统功耗的方法.docx（9页珍藏版）》请在第一文库网上搜索。

1、三种调整处理器系统功耗的方法摘要随着新型妲嬲的执行效率飞速提高，其对计算能力的追求有时超过了冷却系统的能力。而且，机械和散热设计通常是最后完成的研发步骤。因此，在设计的过程中可能在最后阶段才发现超过了散热系统的限制。设计师通常需优化系统并找到可接受的折中方案。Te1ec1ynee2v作为高可靠性微处理器的领导者,多年来一直致力于提高超越标准性能指标的定制处理器的核心竞争力，使系统设计师能够增加系统安全的余量，并优化SWaP（尺寸，重量和功耗）。本文将介绍Te1ee1ynee2v为系统设计师提供的定制方案，以调整高可靠性处理器系统的功耗。在大多数情况下，选择一种或多种定制的方案可大大提高设计的价

2、值。这里将讨论以下三种方案：1 .优化功耗。包括根据客户的应用需求选择合适的处理器，并优先选择低功耗的器件。2 .优化封装的热阻。在大多数情况下也可以保护电路和裸片。3 .提高最大节温（TJ）O这需要额外测试器件在高温下的工作情况和使用寿命。重点是如何量化这些测试，因为升高的温度会影响器件的失效率。Te1edynee2v的高可靠性微处理器在国防、宇航等高可靠性领域已服务了几十年的时间。今天，现代处理器的发展主要依靠诸如无人驾驶等未来的新市场推动。因此，像幽这样的大供应商对高可靠性产品的供应链有深远的影响。许多应用对这些产品并没有很严格的可靠性要求。同时，SWaP（尺寸，重量和功耗）对于航空、国

3、防甚至宇航等严苛环境的应用非常重要。本文将重点介绍如何选择用于这些应用的处理器。毕竟，处理器是系统中的重要器件，会产生系统中大部分的功耗（SWaP中的P）O另外，散热系统需要使用散热器，影响系统的尺寸和重量（SWaP中的S和W）。处理器功耗的背景知识每一代处理器的功耗需求都在逐步增加。研究特定器件的电参数是一件复杂的工作，尤其对于准备解决系统级设计问题的设计师。表1是从四核ARMCortexA7264位1ayerscape处理器1S1046的数据手册里摘录的，包含W处理器时钟频率（1.6市U.8GHz）和3种节温（标称值65,85和105C）时的功耗。另外，图中还标出了三种不同的功耗模式：典型

4、、散热和最大。可以看出，在不同的工作环境，器件的功耗可能会相差一倍。这说明散热管理是处理器的重要设计指标。通常情况下，1fi制定的器件标准规格会包含一些余量，以兼容不同批次的差异。例如，如果某个客户的应用必须用到最高的节温，看了表1他可能会得出这款处理器虽然功能强大但功耗太大的结论，从而不选用这款器件。实际上，我们后面会看到，采取一些措施可以减少器件的功耗至理想的范围。表1：NXP1S1046处理器的功耗Corefrcqucncy(MHz)P1atform/FManfrequency(MHz)ODRfroqueCy(MHi)VOO(V)SV00(V)Jundtontempertue(X)Pow

5、ermod*Power(W)Tota1Coreandp1atformpower(WrVOOSV0018700/80021001.01.065Typfc8.50.99485Therma111.40.9123Maximum1430.9152106Therma11440.915.3Maximum17.3OS1821600700/90021001.01.0Typictf7.70.98785Therma1,070.911.6Maximum13.20.9142105Therma113.70.9146Maximum1630.917.2三种解决方法方法1优化功耗这包括评估一系列目标器件，并对它们做相关测试，分

6、析功耗的分布。最终的目的是为某一个特定的应用筛选出功耗最佳的器件。如果器件的使用情况被明确定义，功率筛选可以使处理器满足其使用的要求。但是，这需要非常精确地了解器件如何在特定的应用中工作。对此，并没有快速的解决方案，人们只能使用功率筛选得出尽可能详细的分析结果。在某个特定的项目中，Te1edynee2v通过结合客户应用的要求和功耗筛选，成功将图1中器件在最坏情况下的功耗降低了46%0这样，起初由于功耗太大而被认为不适合这个任务的器件，现在可以被用户充满信心地设计到系统中。图1：T1042处理器最坏情况下的功耗vs.客户目标应用中的功耗这并不是一件容易实现的事情。我们需要了解处理器的功耗包含下面

7、两个要素： 静态功耗一一&的所有内部外设所需的功耗，与器件性能和运行的代码无关。 动态功耗一一计算能力所需的功耗。对于多核处理器，对于不同的瞬时计算负载，这个功耗可能有很大差异。Te1edynee2v对功耗的独特见解经过和NXP（之前是FreeSCa1e）几十年的合作，Te1edynee2v建立了高性能处理器的专业知识体系，并可获得和原始制造商相同的工具、产品测试向量和测试程序。这使得Te1edynee2v可通过筛选和测试的方式提供定制的功耗优化方案。Te1edynee2v对处理器参数测试表明当代处理器有以下几点常见特性： 不同的器件的静态功耗差异显著。 在低温环境静态功耗可能接近0,但在12

8、5时可能占总功耗的40%甚至更多（参见图2）o 动态功耗由用户的使用情况决定。不同器件、不同温度和不同的批次对其影响不大。处理器功耗和环境温度的关系图2表示对于一款真实的处理器节温和静态功耗的典型关系曲线。随着节温（Tj）的升高，功耗非线性增加。在这个例子里，随着温度从45上升到125（标称最大值），静态功耗增加了3倍，从4W升高到14W。因此，降低功耗的方法之一是通过加强的散热系统降低节温。StaticpoweronVddis1060104090140MJNenONTEMPERATURE1Pq图2：静态功耗和节温的典型关系这个曲线也表明，无法同时改善处理器SWaP的所有要素。如果想优化功耗，

9、则必须降低节温，而使用散热器，则会增加设备的尺寸和重量。因此，虽然SwaP是一个核心的设计要素，但通常需要作出下面的妥协： 降低功耗或减少散热系统以减少尺寸和重量Te1edynee2v可提供优化功耗的处理器器件Te1edynee2v从NXP获取原始测试向量、等效测试工具和测试技术，并研发新的处理器性能优化技术，以提供定制功耗的产品。另外，Te1edynee2v可对特定的用户应用做深入的功耗分析，找出特别的动态功耗需求。成果：降低功耗图1中可以看出T1042四核处理器的功耗情况。商业器件的规格书表明在最坏情况下器件的功耗高达8.3W（12GHz时钟，Tj是125）。但是，用户可以降低功耗至4.5

10、孔如果不是因为功耗的降低，客户可能从一开始就不会选用T1042o基于加强的器件测试和对用户实际应用的分析，Te1edynee2v保证特定器件的功耗大约是原始器件预期功耗的一半。这可帮助降低功耗并简化项目的散热设计。方法2：定制封装包括修改或重新设计标准器件的封装，以减小节到板子的热阻，或节到封装顶部的热阻： 可降低节温，从而降低功耗（假设使用相同的散热器）。在另一方面，也可以减少冷却系统的尺寸和重量，因为热阻（Rth）越小，所需散热器越大。 可加强器件的震动防护，并简化冷却系统和处理器的传热接口。 选择使用或不使用封装盖，以进一步改善散热性能大多数处理器都有封装盖，用于散热和保护器件裸片。取决

11、于不同的应用，有些设计师可能会选择有封装盖的设计，从而更容易地集成散热器；而另一些设计师则选择无封装盖的设计，因为他们无法接受封装盖带来的额外的热阻。在另一方面，封装盖会显著降低节到板子的热阻，对于主要依靠印制电路板（迎）散热的应用非常有利。如图3,有些器件是带有封装盖的（如1S1O46）,有些器件则不带封装盖（如T1O40）。对此，通常设计师无法选择，因为这是商用货架产品（COTS）o而TeIedynee2v可根据用户的需求，帮助用户增加或移除封装盖。图3：1S1o46有盖设计（上）和T1040无盖设计（下）Te1edynee2v可提供定制的封装Te1edynee2v拥有重封装半导体器件的专

12、业知识和丰富的经验。这不仅仅包括特定封装的开发，例如专门为Te1edynee2v的EV12AQ600模数转换器开发的封装，此外，Te1edynee2v还可帮助客户对封装重新植球，改变焊接流程，以满足一些宇航客户的特定需求（如采用不含锡铅合金的材料以防止在宇航应用中出现锡须）。成果：定制的封装最近TeIedynee2v做了一项为NXPTIO40处理器加上封装盖的可行性研究。可选的封装盖的机械尺寸如图4oTe1edynee2v也估算了散热指标的变化。由于增加了封装盖，节到板的热阻大约是4.66CW的一半，比标准封装下降了9/W。而节到顶部的热阻却从少于0.1CW增加到0.85C/W。图4：T1（M

13、O可选的封装盖关于改进封装的进一步思考理想的散热设计是不使用散热器，所有的热量都通过PCB传导。虽然这听起来有些不现实，但在某些应用中确实是值得考虑的方案。考虑到多层PCB的热阻较低，通过改进封装，降低节到PCB板的热阻，可使相当部分的热量通过PCB传导，减小散热器的设计压力，并减少使用相同散热器的设计的功耗（通过降低节温）。一个典型的例子是TeIeCIynee2v的PC8548（陶封基板）。它等效于NXP的MPC8548（塑封基板）。虽然它们在尺寸上类似，在热性能方面却有显著的区别。由于PC8548使用了陶瓷基板，节到板的热阻（3/W）比塑封版本的热阻（5CW）降低了60%o虽然上述的两个例

14、子都是关于降低节到板的热阻，相似的方法也可被用于降低节到封装顶部的热阻。方法3：扩展的节温（即大于125C）这个优化方法考虑到硅片在超过传统商业级标准器件的温度范围时正常工作的可行性。实际上，硅片并不仅仅能工作在125,也可用于较高温度的应用。较高的工作节温可为应用提供较大的余量。但是，正如前面介绍的，较高的温度会显著提高功耗（参考图2）。高节温适合用于允许短时间动态功耗迅速爆发的应用。用户需注意这种爆发需满足系统散热设计的要求。Te1edynee2v可提供扩展温度的器件Te1edynee2v拥有专业的产品知识和测试经验，结合不同的产品质量标准，可与客户深入讨论扩展温度范围对器件工作寿命的影响

15、。Te1edynee2v己经可以提供高达125的NXP处理器一一超过了商业器件105C的限制。成果：扩展的温度范围经过可行性评估，Te1edynee2v可提供较高工作节温的定制IC的产品规格。制定产品规格时需仔细考虑如下的四个问题：扩展节温工作的四个问题：为了提高工作节温，需评估以下四个问题： 性能：在较高的温度下，处理器可能无法满足某些电特性需求。Te1edynee2v的测试表明可能需要降低最高时钟频率以满足手册上指标（参考图5）。因此，如果需器件在扩展温度范围正常工作，可能需降低某些规格参数。 可靠性：随着温度升高，硅器件的可靠性以非线性的方式急速下降，可参考阿列纽斯等式。图6表示NXP处理器在高达105范围内的典型F1T（失效率）。将曲线延伸到150C,器件的可靠性与105C时相比降低了10倍。目标应用必须能允许上述可靠性的下降。 功耗：如图2所示，功耗随着温度上升迅速增加，这意味着在扩展温度范围工作需承受更高的功耗。 需验证封装承受高温的能力。特别是塑封环氧树脂封装，在大约160时开始恶化。可考虑使用高温环氧树